[发明专利]应变和压力检测器件、话筒、制造应变和压力检测器件的方法以及制造话筒的方法

说明书

相关申请的交叉引用 

本申请基于2011年9月27日提交的在先日本专利申请第2011-211212号并要求其优先权，其全部内容在此引用作为参考。 

技术领域

本文描述的实施例一般涉及应变和压力检测器件、话筒、制造应变和压力检测器件的方法以及制造话筒的方法。 

背景技术

甚至对于微小区域也能够以高灵敏度测量应变的应变探测器是必需的。例如，在某种配置中包括检测振动引起的压力波动的声检测单元的半导体探测器芯片由焊线电连接到控制电路芯片。不过在这样的配置中，难以减小该器件的尺寸；并且难以对微小区域以高灵敏度测量应变。 

发明内容

根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的晶体管。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上。所述检测单元具有空间部分和非空间部分。所述空间部分设置在所述晶体管上方。所述非空间部分在与设置所述晶体管的半导体表面平行的平面中与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、第一埋置互连部和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分。所述活动梁包括第一互连层和第二互连层。所述固 定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述晶体管与所述活动部分之间的距离可改变。所述第一互连层和所述第二互连层从所述固定部分朝向所述活动部分延伸。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述应变检测元件单元的一端被电连接到所述第一互连层。所述应变检测元件单元的另一端被电连接到所述第二互连层。所述应变检测元件单元包括第一磁层。所述第一埋置互连部设置在所述非空间部分中，以将所述第一互连层电连接到所述半导体电路单元。所述第二埋置互连部设置在所述非空间部分中，以将所述第二互连层电连接到所述半导体电路单元。 

根据一个实施例，话筒包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的晶体管。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上。所述检测单元具有空间部分和非空间部分。所述空间部分设置在所述晶体管上方。所述非空间部分在与设置所述晶体管的半导体表面平行的平面中与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、第一埋置互连部和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分。所述活动梁包括第一互连层和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述晶体管与所述活动部分之间的距离可改变。所述第一互连层和所述第二互连层从所述固定部分朝向所述活动部分延伸。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述应变检测元件单元的一端被电连接到所述第一互连层。所述应变检测元件单元的另一端被电连接到所述第二互连层。所述应变检测元件单元包括第一磁层。所述第一埋置互连部设置在所述非空间部分中，以将所述第一互连层电连接到所述半导体电路单元。所述第二埋置互连部设置在所述非空间部分中，以将所述第二互连层电连接到所述半导体电路单元。 

根据一个实施例，公开了用于制造应变和压力检测器件的方法。 所述方法能够包括在半导体衬底上形成晶体管。所述方法能够包括在所述半导体衬底上形成层间绝缘层以及在所述晶体管上形成牺牲层。所述方法能够包括形成第一导电层，用于在所述层间绝缘层和所述牺牲层上形成第一互连层。所述方法能够包括形成应变检测元件单元，包括所述牺牲层上的所述第一导电层上的第一磁层。所述方法包括形成第二导电层，用于在所述应变检测元件单元上形成第二互连层。所述方法能够包括在所述层间绝缘层内部形成第一埋置互连部和第二埋置互连部。所述第一埋置互连部将所述第一导电层与所述半导体衬底电连接。所述第二埋置互连部将所述第二导电层与所述半导体衬底电连接。此外，所述方法能够包括去除所述牺牲层。 

后文将参考附图描述多个实施例。 

附图是示意性的或概念性的；部分之间的尺寸比例等不一定与其实际数值相同。维度和比例可能在若干附图中以不同方式展示，即使对于一致的部分。 

在本申请的附图和说明书中，与关于以上附图描述的组件类似的组件以相似的附图标记标注，并且在适当时省略详细的说明。 

附图说明

图1是示意透视图，显示了根据第一个实施例的应变和压力检测器件； 

图2是示意透视图，显示了根据第一个实施例的应变和压力检测器件的一部分；