[发明专利]像素驱动电路、像素显示单元和显示电路

说明书

技术领域

本发明涉及驱动电路技术领域,具体是一种像素驱动电路、像素显示单元和显示电路。

背景技术

中国专利文献CN102110407A公开了一种像素驱动电路、放电方法、数据写入方法及驱动显示方法，具体公开了一种驱动电路，参见图1所示，包括数据线、扫描线、用于连接电源极的电源线、用于连接接地极的地线以及OLED(有机发光二极管，全称为Organic Light-Emitting Diode）器件，还包括：电容充电场效应晶体管、发光驱动场效应晶体管以及数据存储电容。该专利文献通过使用三个薄膜晶体管和一个电容的结构，相对于现有四个薄膜晶体管和一个电容结构的驱动电路，减少了电源负载、降低功耗。

对主动有机发光显示器（AMOLED）而言，发光器件OLED的亮度是由驱动TFT产生的电流的大小来决定，因此发光器件OLED的暗态取决于驱动管TFT的最小电流。而驱动管的最小电流受其栅极电压的控制，所以控制栅极电压的稳定变得非常重要。由于漏电流的影响，在一帧周期内栅极的电压变化非常大，使得驱动管有微小的电流通过，严重降低了AMOLED的对比度。

本发明中，TFT为Thin film Transistor，薄膜晶体管。

发明内容

为此，本发明所要解决的是现有像素驱动电路中在一帧周期内驱动管有微小电流通过造成的AMOLED的对比度比较低的技术问题，提供一种可有效减小驱动管通过的微小电流的像素驱动电路、像素显示单元和显示电路。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

一种像素驱动电路，包括：

第一扫描线，与数据传输场效应晶体管T4的栅极、耦合电容C2的负极和采样控制场效应晶体管T3的栅极相连，耦合电容C2的正极与保持电容C1的正极相连；所述采样控制场效应晶体管T3采样控制驱动场效应晶体管T1的阈值电压Vth；

第二扫描线，与基准电压传输场效应晶体管T5的栅极和发光控制场效应晶体管T2的栅极相连；

数据线，与数据传输场效应晶体管T4的源极或漏极相连，所述数据传输场效应晶体管T4的漏极或源极、所述保持电容C1的负极和所述基准电压传输场效应晶体管T5的漏极或源极相连；所述传输场效应晶体管T4控制传输所述数据线上的数据；所述基准电压传输场效应晶体管T5的源极或漏极与基准电压输入线VREF相连，所述基准电压传输场效应晶体管T5控制传输所述基准电压输入线VREF上的基准电压；

驱动场效应晶体管T1，其栅极、保持电容C1的正极和采样控制场效应晶体管T 3的漏极或源极相连；所述驱动场效应晶体管T1的源极或漏极、采样控制场效应晶体管T3的源极或漏极和所述发光控制场效应晶体管T2的漏极或源极相连，所述驱动场效应晶体管T1漏极或源极构成所述像素驱动电路的第一连接端；所述发光控制场效应晶体管T2源极或漏极构成所述像素驱动电路的第二连接端。

所述保持电容C1为TFT电容，其中TFT电容指将TFT的源极和漏极短接在一起形成的电容。

所述耦合电容C2为TFT电容。

所述场效应晶体管均为TFT。

所述TFT均为P型薄膜场效应晶体管。

同时，提供一种像素显示单元，使用上述的像素驱动电路，还包括一个直流电致发光器件和一个电源；其中，所述像素驱动电路的第一连接端与电源的正极相连；所述像素驱动电路的第二连接端与所述对应直流电致发光器件的正极相连，所述直流电致发光器件的负极接地。

所述直流电致发光器件包括OLED、LED和电阻式灯泡中的任意一种。

还提供一种显示电路，包括上述的像素显示单元。

本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

本发明的像素驱动电路通过设置耦合电容，可有效增加驱动场效应晶体管T1的栅极的电压，进而降低流过驱动场效应晶体管T1的电流，使得暗态时流过直流电致发光器件的电流减小，亮度降低，提高对比度。

保持电容C1为TFT电容或者耦合电容C2为TFT电容，因为TFT电容体积小，更方便集成。将场效应晶体管均为TFT，使得本发明的像素驱动电路场效应晶体管类型同一，方便加工制造。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中

图1为本发明一个实施例的像素驱动单元电路图；

图2为图1所示像素驱动电路的工作时序图；

图3为包括如图1所示像素驱动单元的显示电路图。