[发明专利]基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法

权利要求书

1.一种基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法，其特征在于，它包括如下步骤：

1）架设相控阵局部阵面和测试天线，使二者主波束对准且极化匹配，测试天线位于相控阵局部阵面的主波束辐射场内、且与相控阵局部阵面中心的距离为R，测试天线的射频输出端接入频谱分析仪；

2）相控阵局部阵面以频率f定波束发射，通过测试天线测得距离相控阵局部阵面中心R处场点的场强为E_p(f)；

3）由式E_A(f)＝NE_p(f)推演得到相控阵全阵在R处产生的场强E_A(f)，式中，N为相控阵全阵面与相控阵局部阵面的阵元个数之比。

2.根据权利要求1所述的基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法，其特征在于，所述步骤1）中，架设相控阵局部阵面和测试天线的过程为：架设相控阵局部阵面，粗略估算测试天线的高度和口径指向，使二者主波束方向一致、极化方式相同；测试天线的射频输出端接入频谱分析仪；局部阵面以任意频率定波束发射，微调测试天线的高度、方位角和俯仰角，使频谱分析仪的测试值最大，表明相控阵局部阵面和测试天线的主波束对准且极化匹配。

3.根据权利要求1或2所述的基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法，其特征在于：所述测试天线与相控阵局部阵面中心的距离R满足式中，D为相控阵天线的最大尺寸，λ为相控阵局部阵面所发射电磁波的波长。

4.根据权利要求1或2所述的基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法，其特征在于：所述相控阵全阵面与相控阵局部阵面的阵元个数之比N≤100。

5.根据权利要求3所述的基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法，其特征在于：所述相控阵全阵面与相控阵局部阵面的阵元个数之比N≤100。