[发明专利]多色移装置

权利要求书

1.一种色移防伪装置，包括：

具有微结构化的表面的第一吸收层；

第一反射层；其中所述第一吸收层和所述第一反射层是适形沉积层；

支撑所述第一吸收层的基底，其中所述基底具有微结构，所述微结构对应于所述第一吸收层的微结构化的上表面；和

第一非适形聚合物电介质层，所述第一非适形聚合物电介质层被设置在所述第一吸收层和所述第一反射层之间，具有与所述微结构化的表面接触和互补的表面，并且其中所述第一非适形聚合物电介质层的横截面具有变化的厚度，使得所述第一非适形聚合物电介质层的至少一个区域比所述第一非适形聚合物电介质层的较薄的相邻区域更厚，并且其中在光入射到所述色移防伪装置上时，从相同位置穿过该区域和该区域的相邻区域同时观察所述色移防伪装置，能看见可见的色差；

其中所述装置还包括与所述第一反射层接触的第二非适形聚合物电介质层，在所述第二非适形聚合物电介质层之上具有第二吸收层，从而形成两侧色移装置，其中所述第一非适形聚合物电介质层和所述第二非适形聚合物电介质层都具有变化的横截面厚度；和

其中所述第一吸收层，所述第一反射层，所述第一非适形聚合物电介质层，所述第二非适形聚合物电介质层，以及所述第二吸收层，一起形成法布里－珀罗腔，并且其中所述第一非适形聚合物电介质层由沉积的非适形材料形成。

2.根据权利要求1所述的色移防伪装置，其中在所述法布里－珀罗腔从基底移除后，所述法布里－珀罗腔形成薄片。

3.根据权利要求1所述的色移防伪装置，其中所述第一吸收层，或者所述第一反射层，具有基本均匀的厚度，其中厚度的变化不超过20％。

4.根据权利要求1所述的色移防伪装置，其中所述第一非适形聚合物电介质层的横截面的厚度差远大于相邻两层的厚度之和。

5.根据权利要求4所述的色移防伪装置，其中对应于特定微结构的所述色移防伪装置的区域形成通过放大能够被看见的可见标记，并且其中一些所述微结构的高度或深度至少为50nm。

6.根据权利要求5所述的色移防伪装置，其中至少一些所述微结构形成谷，其在横截面中形成底部平坦的谷。

7.根据权利要求5所述的色移防伪装置，其中所述微结构在横截面中的峰是顶部平坦的结构。

8.一种色移防伪装置，包括法布里－珀罗滤光器，所述法布里－珀罗滤光器包括：第一吸收层，第一非适形电介质层，反射层，第二非适形电介质层和第二吸收层，其中所述第一非适形电介质层被沉积在所述第一吸收层之上，所述反射层被沉积在所述第一非适形电介质层之上，所述第二非适形电介质层被沉积在所述反射层之上，所述第二吸收层被沉积在所述第二非适形电介质层之上；其中，所述第一吸收层具有微结构化的上表面，所述第一非适形电介质层的下表面与所述第一吸收层的所述微结构化的上表面相适形，并且所述第一非适形电介质层的上表面与所述第一吸收层的所述微结构的上表面不相适形，其中所述非适形电介质层的横截面具有变化的厚度，使得所述非适形电介质层的至少一个区域基本上比该区域的相邻区域更厚，并且其中所述第一非适形电介质层和所述第二非适形电介质层的横截面都具有变化的厚度。

9.根据权利要求8所述的色移防伪装置，还包括基底和沉积在所述基底之上的释放层。

10.根据权利要求9所述的色移防伪装置，其中沿着割裂线分割时，形成成形的薄片。

11.根据权利要求10所述的色移防伪装置，其中从任一侧观察时薄片产生色移。