[发明专利]TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法无效

申请号：	201210206659.3	申请日：	2012-06-21
公开（公告）号：	CN102703954A	公开（公告）日：	2012-10-03
发明（设计）人：	段小明;周睿;贾德昌;王亚明;杨治华;张峥	申请（专利权）人：	哈尔滨工业大学
主分类号：	C25D11/26	分类号：	C25D11/26
代理公司：	哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109	代理人：	韩末洙
地址：	150001 黑龙***	国省代码：	黑龙江;23
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摘要：
搜索关键词：	tic 颗粒增强复合材料表面氧化陶瓷制备方法
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【权利要求书】：

1.TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法按以下步骤进行：

一、将TiC颗粒增强钛基复合材料放入电解液中，以TiC颗粒增强钛基复合材料为正极、铁板为负极，控制电解液温度为10～60℃，采用双向脉冲电源，在正脉冲电压为200～800V、负脉冲电压为0～400V、正脉冲工作频率为200～2000Hz、负脉冲工作频率为200～2000Hz、占空比为4～20％的条件下，处理3～30min；

二、将经过步骤一处理的TiC颗粒增强钛基复合材料冲洗3～5次，干燥，即得微弧氧化陶瓷层TiC颗粒增强钛基复合材料；

步骤一中所述电解液由硅酸钠、铝酸钠、磷酸钠、乙醇和去离子水组成，电解液中硅酸钠浓度为3～35g/L，铝酸钠浓度为3～60g/L，磷酸钠浓度为3～40g/L，乙醇浓度为5～20ml/L。

2.根据权利要求1所述TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于步骤一中所述TiC颗粒增强钛基复合材料中作为增强相的TiC颗粒为用微米级或纳米级，TiC颗粒增强钛基复合材料中的基体为钛、TC3钛合金或TC4钛合金，TiC颗粒增强钛基复合材料中TiC的体积含量为3％～20％。

3.根据权利要求1或2所述TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于步骤一中所述正脉冲电压为300～700V。

4.根据权利要求1或2所述TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于步骤一中所述正脉冲电压为500～600V。

5.根据权利要求1或2所述TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于步骤一中所述负脉冲电压为0～300V。

6.根据权利要求1或2所述TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于步骤一中所述负脉冲电压为200V。

7.根据权利要求1或2所述TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于步骤一中所述正脉冲工作频率为400～1200Hz。

8.根据权利要求1或2所述TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于步骤一中所述负脉冲工作频率为1000Hz。

9.根据权利要求1或2所述TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于步骤一中所述占空比为4～16％。

10.根据权利要求1或2所述TiC颗粒增强钛基复合材料表面微弧氧化陶瓷层的制备方法，其特征在于步骤二中所述干燥的温度为40～80℃。

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