[发明专利]水汽检测器件及水汽检测方法

权利要求书

1.一种水汽检测器件，用于检测水汽对半导体器件可靠性的影响，其特征在于，包括：

一湿池结构，用以提供水汽；

一待测结构，用以接收所述湿池结构提供的水汽；及

一标准结构，该标准结构与所述待测结构相同，且与所述湿池结构相隔离。

2.如权利要求1所述的水汽检测器件，其特征在于，所述待测结构和标准结构分列于所述湿池结构两侧。

3.如权利要求2所述的水汽检测器件，其特征在于，还包括一空置结构，所述空置结构位于所述标准结构和湿池结构之间，用于隔离所述标准结构和湿池结构。

4.如权利要求3所述的水汽检测器件，其特征在于，所述空置结构为金属填充区域。

5.如权利要求1所述的水汽检测器件，其特征在于，所述湿池结构包括一超低K电介质区域和一围绕所述超低K电介质区域的密封环。

6.如权利要求5所述的水汽检测器件，其特征在于，所述密封环具有开口，所述开口暴露出所述超低K电介质区域，且所述开口靠近所述待测结构。

7.如权利要求3~6任一项所述的水汽检测器件，其特征在于，所述待测结构、标准结构、空置结构和湿池结构为矩形。

8.如权利要求7所述的水汽检测器件，其特征在于，所述矩形的长度及宽度皆为5um~1000um。

9.如权利要求8所述的水汽检测器件，其特征在于，所述矩形的长度及宽度皆为50um~100um。

10.如权利要求1所述的水汽检测器件，其特征在于，所述待测结构和标准结构皆为电容结构。

11.一种基于权利要求1~10中任一项所述的水汽检测器件的水汽检测方法，其特征在于，包括：

测量待测结构和标准结构的电性参数；

将测得的待测结构和标准结构的电性参数进行比较，以判断水汽对待测结构的影响。

12.如权利要求11所述的水汽检测方法，其特征在于，所述电性参数包括：电容，击穿电压，经时击穿及漏电流。

13.如权利要求12所述的水汽检测方法，其特征在于，若所述待测结构和标准结构的电容相差小于3%，则表明水汽对待测结构的影响可以接受。

14.如权利要求12所述的水汽检测方法，其特征在于，若所述待测结构和标准结构的击穿电压相差小于2V，则表明水汽对待测结构的影响可以接受。

15.如权利要求12所述的水汽检测方法，其特征在于，若所述待测结构和标准结构的经时击穿相差小于2年，则表明水汽对待测结构的影响可以接受。

16.如权利要求12所述的水汽检测方法，其特征在于，若所述待测结构和标准结构的漏电流相差小于一个数量级，则表明水汽对待测结构的影响可以接受。