[发明专利]一种多波段兼容隐身复合结构无效
申请号: | 201210200309.6 | 申请日: | 2012-06-15 |
公开(公告)号: | CN102706220A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 韩玉阁;何雪梅;王彬彬;李强;宣益民 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | F41H3/00 | 分类号: | F41H3/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波段 兼容 隐身 复合 结构 | ||
1.一种多波段兼容隐身复合结构,其特征在于:包括Ag/ZnS膜系结构和SiC“蛾眼”结构,其中“蛾眼”结构复合于Ag/ZnS膜系结构之上。
2.根据权利要求1所述的多波段兼容隐身复合结构,其特征在于:所述Ag/ZnS膜系结构由Ag膜层和ZnS膜层层层交替叠加构成。
3.根据权利要求1或2所述的多波段兼容隐身复合结构,其特征在于:所述Ag/ZnS膜系结构的膜层数大于等于10层,Ag膜层厚度小于20nm,ZnS膜层厚度小于1μm。
4.根据权利要求1所述的多波段兼容隐身复合结构,其特征在于:所述SiC “蛾眼”结构为周期性排布在基底上的锥台阵列结构,“蛾眼”结构的周期即相邻锥台之间的距离P=0.8~8μm,锥台的底面圆直径D=0.6~6μm,锥台的顶面圆直径d=0.3~3μm,锥台的深度H=6~60μm,锥台的基底厚度B=0.2~20μm。
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