[发明专利]保护系统

权利要求书

1.一种电压瞬变保护系统，其包含：

欠电压保护电路，其与经配置以从电源接收供应电压的电子电路并联地耦合，所述欠电压保护电路经配置以减少由所述供应电压中的欠电压瞬变引起的欠电压电流。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述欠电压保护电路包含：

第一低电压隔离晶体管，其相对于所述电源以正向偏压形式耦合；及第二低电压隔离晶体管，其与所述第一低电压隔离晶体管串联地且相对于所述电源电压以反向偏压形式耦合。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述欠电压保护电路进一步包含：

电阻器，其耦合在所述第一低电压隔离晶体管的栅极与所述电源之间，所述电阻器经配置以在过电压事件期间限制电流流到所述第一低电压隔离晶体管的所述栅极。

4.根据权利要求2所述的系统，其进一步包含：

过电压保护电路，其串联地耦合到所述第二低电压晶体管。

5.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一低电压隔离晶体管及所述第二低电压隔离晶体管是负金属氧化物半导体NMOS晶体管。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一低电压隔离晶体管及所述第二低电压隔离晶体管的衬底端子耦合到接地参考电位。

7.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一低电压隔离晶体管的n型隔离端子耦合到所述第二低电压隔离晶体管的n型隔离端子。

8.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一低电压隔离晶体管的击穿电压是基于所述电子电路的欠电压容差。

9.根据权利要求4所述的系统，其中所述第二低电压隔离晶体管的击穿电压是基于所述电子电路的过电压容差且是进一步基于所述过电压保护电路的击穿电压。

10.一种欠电压保护电路，其包含：

第一低电压隔离晶体管，其相对于电源以正向偏压形式耦合；及

第二低电压隔离晶体管，其与所述第一低电压隔离晶体管串联地且相对于所述电源电压以反向偏压形式耦合。

11.根据权利要求10所述的电路，其进一步包含耦合在所述第一低电压隔离晶体管的栅极与所述电源之间的电阻器，所述电阻器经配置以在过电压事件期间限制电流流到所述第一低电压隔离晶体管的所述栅极。

12.根据权利要求10所述的电路，其中所述第一低电压隔离晶体管及所述第二低电压隔离晶体管是NMOS晶体管。

13.根据权利要求12所述的电路，其中所述第一低电压隔离晶体管及所述第二低电压隔离晶体管的衬底端子耦合到接地参考电位。

14.根据权利要求12所述的电路，其中所述第一低电压隔离晶体管的n型隔离端子耦合到所述第二低电压隔离晶体管的n型隔离端子。

15.一种用于提供欠电压保护的方法，其包含：

相对于电源以正向偏压形式耦合第一低电压隔离晶体管；及

与所述第一低电压隔离晶体管串联地且相对于所述电源电压以反向偏压形式耦合第二低电压隔离晶体管。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含将电阻器耦合在所述第一低电压隔离晶体管的栅极与所述电源之间，所述电阻器经配置以在过电压事件期间限制电流流到所述第一低电压隔离晶体管的所述栅极。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一低电压隔离晶体管及所述第二低电压隔离晶体管是NMOS晶体管。

18.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含将所述第一低电压隔离晶体管及所述第二低电压隔离晶体管的衬底端子耦合到接地参考电位。

19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包含将所述第一低电压隔离晶体管的n型隔离端子耦合到所述第二低电压隔离晶体管的n型隔离端子。