[发明专利]CMOS温度传感器

权利要求书

1.一种温度传感器电路，包括：

第一结，其在第一节点上产生第一电压，其对温度具有敏感性；

比例电阻器，其连接在所述第一节点和第一感应节点之间；

第一电流源，其根据一偏压输出第一电流到所述第一感应节点；

第二结，其在第二节点上产生第二电压，其对温度具有敏感性；

第二电流源，其根据所述偏压输出第二电流到所述第二节点；

误差放大器，其比较所述第一感应节点和所述第二节点，以产生所述偏压；

第三电流源，其根据所述偏压输出第三电流；

第一电流沉，其吸入所述第三电流，以产生第二偏压，所述第二偏压调整所述第一电流沉以吸入所述第三电流；

第二电流沉，其接收所述第二偏压，产生第二吸入电流，其从一个倍增节点吸入；

倍增电阻器，其连接在所述倍增节点和一个输出之间；

放大器，其以所述倍增节点为第一输入，以接收一个参考电压为第二输入，所述放大器根据所述参考电压和所述倍增节点上电压之间的差值，而驱动所述输出。

2.如权利要求1所述的温度传感器电路，其中所述输出表示所述第一结和所述第二结的温度。

3.如权利要求2所述的温度传感器电路，其中所述输出具有一个对温度的敏感度，所述敏感度与一个比值成比例，所述比值是所述倍增电阻器的电阻与所述比例电阻器的电阻的比值。

4.如权利要求3所述的温度传感器电路，还包括：

第四电流源，其根据所述偏压输出第三电流，其中所述第三电流传送到所述输出。

5.如权利要求3所述的温度传感器电路，其中所述第一、第二、第三电流源每个都包括：

第一晶体管，其沟道连接在一个电源和一个中间节点之间，其栅极接收所述偏压；

第二晶体管，其沟道连接在所述中间节点和一个电流传送节点之间，其栅极接收所述偏压；

其中所述电流源输出的电流流到所述电流传送节点，因此所述第一和第二晶体管是串联的。

6.如权利要求5所述的温度传感器电路，其中所述第一晶体管是p沟道晶体管，所述第二晶体管是p沟道晶体管。

7.如权利要求3所述的温度传感器电路，其中所述第一结是PNP晶体管，其有一接地的基极和一接地的集电极，和一连接到所述第一节点的发射极；其中所述第二结是PNP晶体管，其有一接地的基极和一接地的集电极，和一连接到所述第二节点的发射极。

8.如权利要求3所述的温度传感器电路，其中所述第一结比第二结大N倍，其中N大于0。

9.如权利要求8所述的温度传感器电路，其中所述输出对温度的敏感度与N的自然对数成比例。

10.如权利要求3所述的温度传感器电路，其中所述第二电流沉比所述第一电流沉大M倍，其中M是镜像因子，至少等于1，其中所述输出对温度的敏感度与M成比例。