[发明专利]发光元件驱动电路有效

专利信息
申请号: 201210195052.X 申请日: 2012-06-13
公开(公告)号: CN102833908A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 徐峰;河井周平;后藤智行 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 元件 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种发光元件驱动电路。

背景技术

在使用了LED(Light Emitting Diode:发光元件)的照明设备中有时使用改善功率因数地驱动LED的LED驱动电路(例如参照专利文献1)。

图11是表示LED驱动电路的一般结构的图。当向全波整流电路300提供商用电源的交流电压Vac时,全波整流电路300将交流电压Vac进行全波整流后输出。电阻310、320对由全波整流电路300进行全波整流得到的整流电压Vrec进行分压并作为基准电压Vref而输出。开关电路330每隔规定周期使NMOS晶体管340导通,当与流过LED 350的电流相应的电压Vs成为基准电压Vref时使NMOS晶体管340截止。在LED驱动电路200中,基准电压Vref与整流电压Vrec相似,因此流过LED 350的电流的波形也与整流电压Vrec的波形相似。因而,LED驱动电路200能够改善功率因数地驱动LED 350。

专利文献1:日本特开2010-50336号公报

发明内容

发明要解决的问题

另外,商用电源的交流电压Vac的振幅有时在例如90V~140V的范围内变化较大。在这种情况下,基准电压Vref的水平的变化也大,因此其结果流过LED 350的电流的变化也大,有时导致LED 350的亮度较大地偏离于期望的亮度。

本发明是鉴于上述课题而作出的,其目的在于提供一种在交流电压的振幅发生变化的情况下也能够抑制流过发光元件的电流的变化的发光元件驱动电路。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的,本发明的一个方面所涉及的发光元件驱动电路具备:整流电路,其输出将交流电压进行全波整流得到的整流电压;分压电路,其输出对上述整流电压进行分压得到的分压电压来作为基准电压;晶体管,其在导通时与上述整流电压相应地增加发光元件的驱动电流,在截止时使上述发光元件的上述驱动电流减少;控制电路,其每隔规定期间将上述晶体管设为导通状态和截止状态中的一个状态,当与流过上述晶体管的电流相应的电压上升而成为上述基准电压时将上述晶体管设为另一个状态;以及分压比调整电路,其在上述整流电压的振幅大于规定振幅的情况下将上述分压电路的分压比设为第一分压比使得上述基准电压下降,在上述整流电压的振幅小于上述规定振幅的情况下将上述分压电路的分压比设为第二分压比使得上述基准电压上升。

发明的效果

能够提供一种在交流电压的振幅发生变化的情况下也能够抑制流过发光元件的电流的变化的发光元件驱动电路。

附图说明

图1是表示作为本发明的一个实施方式的LED驱动电路10的结构的图。

图2是表示基准电压Vref1、Vref2的波形的一例的图。

图3是表示振荡电路90的结构的图。

图4是用于说明交流电压Vac的振幅大的情况下的LED驱动电路10的动作的图。

图5是用于说明交流电压Vac的振幅小的情况下的LED驱动电路10的动作的图。

图6是表示控制IC 51的结构的一例的图。

图7是表示振荡电路120的结构的图。

图8是表示振荡电路140的结构的图。

图9是表示振荡电路150的结构的图。

图10是用于说明振荡电路150的动作的图。

图11是表示一般的LED驱动电路200的结构的图。

附图标记说明

10:LED驱动电路;20:全波整流电路;21:平滑化电路;22:基准电压生成电路;30~39:发光元件(LED);40、103~105:NMOS晶体管;41:电感器;42、165:二极管;43、60、61、70~72、100~102、160~161:电阻;50、51、55~57:控制IC;62、67、109、131:电容器;65:分压电路;80:电源电路;81:基准电压电路;82、91、110、133、162:比较器;83:开关控制电路;90、120、140、150:振荡电路(OSC);92:SR触发器;93:驱动电路;107、108、132:偏压电流源;111、134、164、190:反相器(inverter);106、130:PMO S晶体管;163:AND电路;DC、SW、RIN、CS、OUT、TR:端子。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210195052.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top