[发明专利]夹持装置、组件和光刻投影设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种夹持装置、包括这种夹持装置的组件以及包括这种组件的光刻投影设备。

背景技术

光刻投影设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻投影设备可用于例如集成电路（IC）制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯）上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上而实现图案的转移。通常，单个衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。

光刻技术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻技术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻技术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式（1）所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是印刷的特征的特征尺寸（或临界尺寸）。由等式（1）知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外（EUV）辐射。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如在13-14nm范围内。进一步地，已经提出，可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如波长在5-10nm范围内，诸如6.7nm或6.8nm。这种辐射称为极紫外辐射或者软x射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以通过使用等离子体产生EUV辐射。构造用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器以及用于容纳等离子体的源收集器设备。

等离子体可以例如通过引导激光束至燃料来产生，燃料是例如合适材料（例如锡）的颗粒，或合适气体或蒸汽的流，例如氙（Xe）气或锂（Li）蒸汽。最终的等离子体发射辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器设备可以包括包围结构或腔，布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体（LPP）源。

可选地，可以通过在例如阴极和阳极之间的电场中喷射燃料液体液滴来生成等离子体。当液滴在预定位置处时，它被激光碰撞并且被蒸发。然后，在阴极和阳极之间发生放电，产生发射EUV辐射的等离子体。

通常，构造用于产生EUV辐射的辐射系统与光刻投影设备分开制造。这意味着，在光刻投影设备能够使用之前，需要对准和连接辐射系统和光刻投影设备。

需要大量的空间和电子装置来手动地彼此对准辐射系统与光刻投影设备以及相互连接辐射系统和光刻投影设备。由于辐射系统和/或光刻投影设备的其他部件的存在，因此可能不能获得这样的空间。

发明内容

期望限制对准和连接辐射系统和光刻投影设备所涉及的电子装置的数量。

本发明一方面提供一种夹持装置，构造和布置用于将两个部件夹持在一起，所述夹持装置包括：对准机构或对准器，构造和布置用于将两个部件相对于彼此设置在对准位置；夹持机构或夹持器，构造和布置用于将两个部件保持在对准位置；分离机构或者分离器，构造和布置成引导两个部件离开对准位置至分离位置；以及致动器，构造和布置用于将电流转化成动能，其中所述对准机构（对准器）、夹持机构（夹持器）以及分离机构（分离器）被构造和布置成被致动器驱动。