[发明专利]一种模拟GIS内部放电及检测方法

说明书

技术领域

    本发明属于电力检测技术领域，具体涉及一种模拟GIS（Gas Insulated Switchgear，六氟化硫封闭式组合电器）内部放电及检测方法。

背景技术

现有的模拟GIS放电的方法通常在现成电站用GIS气室的基础上加装放电模拟电极实现，放电种类比较单一，更换放电模型必须把整个气室打开，操作困难、不方便；放电强度除通过外部试验电压调节外，不打开气室很难直接从放电模型本身进行调整；高压升压装置需要通过外部试验变压器升压得到，高压引入时有一段直接暴露空气中，有一定安全隐患；装置不具备电脉冲法局放检测功能，无法对超高频法和超声波法的局放检测进行计量标定。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种模拟GIS内部放电及检测方法。

本发明方法采用多个不同类型的放电模型，沿放电筒径向分别移动每个放电模型，然后在位于放电筒轴线上的母线上施加电压，当放电模型位于放电筒内时，该放电模型即产生放电，不同类型的放电模型产生不同的放电种类；调整每个放电模型与母线之间的距离，使该放电模型的放电强度发生变化；利用局部放电检测仪器检测放电筒内产生的放电种类和强度；记录每个放电模型与母线之间的距离、电压强度，以及对应的放电种类和强度的检测结果；科研教学中需要产生该放电种类和强度时，将不同类型的放电模型调整到对应位置，输入对应电压强度，即可实现。

所述的放电模型的种类包括尖端放电、移动电极放电、悬浮放电、颗粒放电、间隙放电、气隙放电。

所述的利用局部放电检测仪器检测放电筒内产生的放电种类和强度的方法可以采用电脉冲局部放电检测方法、超高频局部放电检测方法或超声波局部放电检测方法。

采用本发明方法只需要调整不同类型的放电模型与母线之间的距离，可以实现多种放电情况的模拟，所需设备占用空间小、重量轻、操作安全，有效解决GIS内部放电种类的模拟，放电类型切换方便，具备电脉冲、超声波、超高频局部放电检测的验证方法，大大提高了GIS放电研究的便利性，同时也降低了研究成本。

附图说明

图1为本发明一实施例示意图。

具体实施方式

如图1所示，圆筒形的放电筒1的两端分别固定设置有盘式绝缘子2-1和2-2，放电筒1内的轴线上设置有母线3，母线3穿过两个盘式绝缘子2-1和2-2的中心设置。四个平行设置的放电模型存放筒4的一端与放电筒1的筒壁固定连接，另一端通过密封盖5密封；放电模型存放筒4与放电筒1相通，且放电模型存放筒4的轴线与放电筒1的轴线垂直相交，放电筒1和两端的盘式绝缘子2-1和2-2以及放电模型存放筒4和密封盖5形成的密封空间作为放电气室Ⅰ，放电气室Ⅰ内充有压强为0.1～1.2MPa的六氟化硫气体。每个放电模型存放筒4上固定设置有倒置U字形的升降支架6，升降杆7与升降支架6螺纹连接，放电模型8与升降杆7的一端固定连接，四个放电模型8采用不同类型的放电模型。升降杆7穿过密封盖5的气密封口设置，升降杆7与密封盖5之间滑动配合，且气密封。当升降杆7升至顶端时，放电模块8位于放电模型存放筒4内，升降杆7降至底端时，放电模块8的头部与母线3相接。变压器本体9的低压侧连接控制箱10，高压输出线与母线3连接。

转动升降杆7，升降杆7带动对应的放电模型8沿放电筒1径向移动，然后通过控制箱10和变压器本体9在母线上施加电压。当放电模型8位于放电筒1内（即放电模型8的头部向下超过放电筒1的内壁）时，该放电模型8即产生放电，四种类型的放电模型会产生不同的放电种类。调整每个放电模型与母线3之间的距离，使该放电模型的放电强度发生变化。利用局部放电检测仪器检测放电筒1内产生的放电种类和强度。记录每个放电模型与母线3之间的距离、电压强度，以及对应的放电种类和强度的检测结果。科研教学中需要产生该放电种类和强度时，根据记录，将不同类型的放电模型调整到对应位置，输入对应电压强度，即可实现。

放电模型8的放电种类包括尖端放电、移动电极放电、悬浮放电、颗粒放电、间隙放电、气隙放电。利用局部放电检测仪器检测放电筒内产生的放电种类和强度的方法可以采用电脉冲局部放电检测方法、超高频局部放电检测方法或超声波局部放电检测方法。

此发明方法专用于GIS放电的研究，研究同电压同压强下不同放电类型下局放信号的差异，同压强下电压与局放强度的关系，同电压下压强与局放强度的关系。通过局部放电检测仪器观察某种放电类型时，可通过调节放电气室内放电模型与中心母线之间的距离，然后调节电压使其放电。放电信号可以通过耦合电容气室的信号出口用电脉冲局放检测仪检测，也可用超高频局放检测仪通过盘式绝缘子进行检测，用超声波局放检测仪在放电气室金属外壳上进行检测。在这个过程中，可观察不同电压下的放电变化、不同放电距离下的放电变化。可根据需要同时调节多个放电模型与中心导体靠近或接触，模拟多种放电的复杂情况。如:当需要尖端放电的波形时，可将尖端放电模型调至与中心导体合适位置，然后升压，就可在局放检测仪上看到尖端放电的典型图谱。