[发明专利]测试装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种测试装置，特别涉及一种测试DirectEFT封装的MOS管是否虚焊和假焊的测试装置。

背景技术

DirectEFT封装的MOS管因具有阻抗小，散热快等优点而被广泛应用。但由于DirectEFT封装的MOS管的栅极、漏极及源极的引脚小且均位于MOS管的底面，故，当DirectEFT封装的MOS管焊接到电路板上时，易出现虚焊和假焊。目前，业界采用X射线设备来检测焊接到电路板上的DirectEFT封装的MOS管是否出现虚焊和假焊。然而，X射线设备价格昂贵，从而使得测试成本较高。

发明内容

鉴于上述内容，有必要提供一种成本低且能准确地检测出DirectEFT封装的MOS管是否出现虚焊和假焊的测试装置。

一种测试装置，用于测试一焊接到电路板上的MOS管是否存在虚焊和假焊，所述测试装置包括一发光二极管、第一及第二开关、第一及第二电阻及第一至第三接触元件，所述发光二极管的阳极与一电源相连，所述发光二极管的阴极通过所述第一电阻与所述第一接触元件相连，所述第一开关的一端通过所述第二电阻与所述电源相连，所述第一开关的另一端与所述第二接触元件相连，所述第二开关的一端与所述第一开关的另一端相连，所述第二开关的另一端接地，并与所述第三接触元件相连，测试时，所述第一接触元件接触所述MOS管的漏极与所述电路板上一第一电子元件之间的节点，所述第二接触元件接触所述MOS管的栅极与所述电路板上一第二电子元件之间的节点，所述第三接触元件接触所述MOS管的源极与所述电路板上一第三电子元件之间的节点，当所述MOS管为NMOS管时，闭合所述第一开关，当所述MOS管为PMOS管时，闭合所述第二开关，若所述发光二极管不发光，则表明所述MOS管存在虚焊和假焊；若所述发光二极管发光，则表明所述MOS管不存在虚焊和假焊。

本发明测试装置通过所述第一至第三接触元件来接触所述MOS管的栅极、漏极及源极，并通过观察所述发光二极管是否发光来判断所述MOS管栅极、漏极及源极是否存在虚焊和假焊，以使测试结果准确且测试成本低。

附图说明

下面参照附图结合较佳实施方式对本发明作进一步详细描述：

图1为本发明测试装置较佳实施方式的电路图。

图2为本发明测试装置对NMOS管进行测试的电路图。

图3为本发明测试装置对PMOS管进行测试的电路图。

主要元件符号说明

测试装置10电路板11、20接触元件12-1412-14线缆15电子元件22、26、28发光二极管D开关K1、K2电阻R1、R2NMOS管Q1PMOS管Q2

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式