[发明专利]一种高灵敏度的CoFeB基磁隧道结无效
申请号: | 201210181264.2 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN102709467A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 宋成;崔彬;潘峰 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100084 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 灵敏度 cofeb 隧道 | ||
1.一种CoFeB基磁隧道结,其结构依次包括:基片、过渡层、磁性电极层、绝缘层、磁性电极层、保护层,所述磁性电极层为CoFeB层;其特征在于:所述过渡层为钨层。
2.根据权利要求1所述的CoFeB基磁隧道结,其特征在于:所述CoFeB基磁隧道结的结构依次包括:基片、钨层、CoFeB层、MgO或Al2O3层、CoFeB层、Ta层。
3.根据权利要求1或2所述的CoFeB基磁隧道结,其特征在于:所述钨层的厚度为3-15nm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的CoFeB基磁隧道结,其特征在于:所述CoFeB层的厚度为5-20nm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的CoFeB基磁隧道结,其特征在于:所述CoFeB层中三种元素的质量含量分别为:Co 20%-70%,Fe 20%-70%,B 10%-20%。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的CoFeB基磁隧道结,其特征在于:所述MgO或Al2O3层的厚度为1-3nm。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的CoFeB基磁隧道结,其特征在于:所述MgO为具有(001)织构的MgO;所述Al2O3为非晶Al2O3。
8.根据权利要求2-7中任一项所述的CoFeB基磁隧道结,其特征在于:所述Ta层的厚度为1-5nm。
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