[发明专利]一种用于宽范围电源输入的内部供电电路有效
| 申请号: | 201210172610.0 | 申请日: | 2012-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN102710136B | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
| 发明(设计)人: | 王晓飞;夏雪;袁小云 | 申请(专利权)人: | 西安航天民芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;G01R19/165 |
| 代理公司: | 西安利泽明知识产权代理有限公司61222 | 代理人: | 段国刚 |
| 地址: | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 范围 电源 输入 内部 供电 电路 | ||
1.一种用于宽范围电源输入的内部供电电路,其特征在于,包括电源电压判断单元和产生内部供电的Regulator电路,具体为一个电流源,十三个P型MOS管、九个N型MOS管、两个电容、八个电阻和两个齐纳二极管,其中:所述电源电压判断单元包括六个电阻、四个NMOS管和五个PMOS管,电阻R1、电阻R2与电阻R3是电源VIN的分压电阻,第一N型MOS管MN1是使能开关管,第一N型双极型晶体管N1、第二N型双极型晶体管N2、第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、电阻R4和电阻R5是电源电压判断单元的主体结构,第一N型双极型晶体管N1与第二N型双极型晶体管N2为匹配关系,比例为n∶1,当电源VIN的分压高于时,即电源VIN的电压高于时,电源电压判断单元输出为高电平,当电源VIN的电压低于时,电源电压判断单元输出为低电平;所述产生内部供电的Regulator电路,包括两个电阻、五个NMOS管、八个PMOS管、两个齐纳二极管和两个电容,第六P型MOS管MP6、第七P型MOS管MP7与第八P型MOS管MP8是电路中的电流偏置管,为Regulator电路提供偏置电流,第一齐纳二极管D1为第十二P型MOS管MP12、第十三P型MOS管MP13提供偏置电压,当电路使能关断时通过电阻R7对第八N型MOS管MN8的栅极进行放电,第十P型MOS管MP10、第十一P型MOS管MP11、第十二P型MOS管MP12、第十三P型MOS管MP13、第九N型MOS管MN9与第十N型MOS管MN10为选择电路,当电源电压较低时,第九P型MOS管MP9的栅极拉低,第九P型MOS管MP9导通,内部供电电源VDD的输出等于VIN,当源电压较高时,第九P型MOS管MP9的栅极拉高,第九P型MOS管MP9关断,内部供电电源VDD的输出等于第二齐纳二极管D2的稳压值减去第八N型MOS管MN8的VGS8值。
2.根据权利要求1所述的一种用于宽范围电源输入的内部供电电路,其特征在于,所述电源电压判断单元电路连接方式为:第一P型MOS管MP1的源极与内部供电电源VDD连接;第一P型MOS管MP1的漏极、第一P型MOS管MP1的栅极、第二P型MOS管MP2的栅极与第一N型双极型晶体管N1的集电极连接;第二P型MOS管MP2的源极与内部供电电源VDD连接;第二P型MOS管MP2的漏极、第二N型双极型晶体管N2的集电极与第三P型MOS管MP3的栅极连接;第三P型MOS管MP3的源极与内部供电电源VDD连接;第三P型MOS管MP3的漏极、第四P型MOS管MP4的栅极、第四N型MOS管MN4的栅极与电阻R6的一端连接;第四P型MOS管MP4的源极与内部供电电源VDD连接;第四P型MOS管MP4的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极、第五P型MOS管MP5的栅极与第五N型MOS管MN5的栅极连接;第五P型MOS管MP5的源极与内部供电电源VDD连接;第五P型MOS管MP5的漏极、第五N型MOS管MN5的漏极与第二N型MOS管MN2的栅极连接,并且为电源电压判断单元的输出1;第一N型MOS管MN1的源极与地GND连接;第一N型MOS管MN1的栅极与EN连接;第一N型MOS管MN1的漏极与电阻R3的一端连接;第二N型MOS管MN2的源极与地GND连接;第二N型MOS管MN2的漏极与电阻R3的另一端连接;第四N型MOS管MN4的源极与地GND连接;第五N型MOS管MN5的源极与地GND连接;第一N型双极型晶体管N1的发射极与电阻R4的一端连接;第二N型双极型晶体管N2的发射极、电阻R4的另一端与电阻R5的一端连接;R6的另一端分别与R5的另一端连接后再与GND连接;电阻R1的另一端与VIN连接,电阻R1与N型双极型晶体管N1基极连接的一端同时连接电阻R2的一端;电阻R2的另一端同时连接R3与第二N型MOS管MN2的漏极连接的一端。
3.根据权利要求1所述的一种用于宽范围电源输入的内部供电电路,其特征在于,所述产生内部供电的Regulator电路连接方式为:第六P型MOS管MP6的源极与电源VIN连接;第六P型MOS管MP6的漏极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极、第八P型MOS管MP8的栅极与外部偏置电流电路连接;第七P型MOS管MP7的源极与电源VIN连接;第七P型MOS管MP7的漏极、第六N型MOS管MN6的栅极、第六N型MOS管MN6的漏极与第七N型MOS管MN7的栅极连接;第八P型MOS管MP8的源极与电源VIN连接;第八P型MOS管MP8的漏极、第二齐纳二极管D2的阴极、电阻R7的一端、电容C1的一端与第八N型MOS管MN8的栅极连接;第九P型MOS管MP9的源极与电源VIN连接;第九P型MOS管MP9的漏极、第八N型MOS管MN8的源极、电阻R8的一端与电容C2的一端连接,作为内部供电电源的输出端;第九P型MOS管MP9的栅极与第十三P型MOS管MP13的源极、第十P型MOS管MP10的栅极、第十一P型MOS管MP11的漏极连接;第十P型MOS管MP10的源极与电源VIN连接;第十P型MOS管MP10的漏极与第十一P型MOS管MP11的栅极、第十二P型MOS管MP12的源极连接;第十一P型MOS管MP11的源极与电源VIN连接;第十二P型MOS管MP12的栅极、第十三P型MOS管MP13的栅极、第一齐纳二极管D1的阳极与第七N型MOS管MN7的漏极连接;第十二P型MOS管MP12的漏极与第九N型MOS管MN9的漏极连接;第六N型MOS管MN6的源极与地GND连接;第七N型MOS管MN7的源极与地GND连接;第八N型MOS管MN8的漏极与电源VIN连接;第九N型MOS管MN9的源极与地GND连接;第九N型MOS管MN9的栅极与电源电压判断单元的输出1连接;第十N型MOS管MN10的源极与地GND连接;第十N型MOS管MN10的漏极与第十三P型MOS管MP13的漏极连接;第十N型MOS管MN10的栅极与电源电压判断单元的输出2连接;第一齐纳二极管D1的阴极与电源VIN连接;第二齐纳二极管D2的阳极与地GND连接;电阻R7的另一端与地GND连接;电阻R8的另一端与地GND连接;电容C1的另一端与地GND连接;电容C2的另一端与地GND连接。
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