[发明专利]具有成角度的表面的辐射探测器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210165745.4 申请日: 2012-05-25
公开(公告)号: CN102901979A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: J.E.特卡茨克;S.R.哈亚施;江浩川;张文武;K.W.安德雷尼;N.加格;张锬 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: G01T1/16 分类号: G01T1/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;朱海煜
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 有成 角度 表面 辐射 探测器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1. 一种辐射探测器模块(70),包括:

构造成探测辐射的多个传感器瓦(40),所述多个传感器瓦具有(i)限定所述多个传感器瓦的顶部表面和底部表面(83, 84)的顶部边和底部边(42, 44),(ii)限定所述多个传感器瓦的侧部的侧壁边(52),以及(iii)由所述顶部边和所述底部边以及所述侧壁边限定的角(48, 50);以及

具有斜角的至少一个斜切表面(82, 92, 93, 95),其中,所述斜切表面包括顶部边或底部边、所述侧壁边或所述角中的至少一个的斜切。

2. 根据权利要求1所述的辐射探测器模块(70),其中,所述斜切表面(82)包括沿着所述侧壁边(52)自所述角(48, 50)在所述顶部边和所述底部边(42, 44)之间延伸的倾斜小面。

3. 根据权利要求2所述的辐射探测器模块(70),其进一步包括在相邻的传感器瓦(40)的所述斜切表面(82)之间的间隙(88),所述间隙自所述传感器瓦的所述顶部表面和所述底部表面(83, 84)在所述斜切表面之间延伸。

4. 根据权利要求1所述的辐射探测器模块(70),其中,所述多个传感器瓦(40)构造成呈对准的瓦布置,其中,所述传感器瓦的壁是对准的。

5. 根据权利要求1所述的辐射探测器模块(70),其中,所述多个传感器瓦(40)构造成呈偏移的瓦布置,其中所述传感器瓦中的至少一些的壁相对于所述其它传感器瓦中的至少一些的壁有所偏移。

6. 根据权利要求1所述的辐射探测器模块(70),其中,所述斜切表面(92)包括自所述角(48, 50)在所述顶部边和所述底部边(42, 44)之间延伸的成圆角的侧壁边。

7. 根据权利要求1所述的辐射探测器模块(70),其中,所述斜切表面(82, 93, 95)包括(i)沿着所述侧壁边(52)自所述角(48, 50)在所述顶部边和所述底部边(42, 44)之间延伸的倾斜小面,(ii)沿着所述顶部边和所述底部边中的至少一个延伸的倾斜小面,以及(iii)在所述角处的倾斜小面。

8. 根据权利要求1所述的辐射探测器模块(70),其中,所述斜切表面包括在所述顶部边和所述底部边(42, 44)之间延伸的成角度的侧壁(102)。

9. 根据权利要求1所述的辐射探测器模块(70),其进一步包括探测器组件(130),所述探测器组件(130)具有将所述传感器瓦(40)连接到陶瓷衬底(132)的互连布置(134),其中,所述互连布置包括各向异性传导材料,所述互连构件包括多个可变形的金属通孔(162),并且所述辐射探测器模块(70)进一步包括控制销(146),所述控制销(146)构造成调节压力,以使所述金属通孔变形,以及允许拆卸和重新组装所述探测器组件。

10. 根据权利要求9所述的辐射探测器模块(70),其中,所述探测器组件(130)进一步包括包围所述传感器瓦(40)的泡沫层(150)。

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