[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201210163195.2 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102707566A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 李钢;周卫峰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，在所述晶圆上形成光刻胶层；
获取并存储每个所述晶圆的对准质量参数；
对所述晶圆进行曝光显影；
从曝光显影后的晶圆中选出对准质量参数小于阈值的晶圆。
2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述对准质量参数通过阿斯麦公司的光刻设备直接获取。
3.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述对准质量参数以表格形式进行存储。
4.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述阈值的取值范围包括：0.8~0.2。
5.如权利要求4所述的光刻方法，其特征在于，所述阈值为0.5。
6.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述晶圆包括金属栅极。
7.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻方法还包括：对选出的晶圆进行对准测试。
8.如权利要求7所述的光刻方法，其特征在于，所述对准测试包括套刻测量。
9.如权利要求7或8所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻方法还包括：对对准测试不合格的晶圆进行二次加工。
10.如权利要求9所述的光刻方法，其特征在于，所述二次加工包括：去除晶圆上剩余的光刻胶层，并重新进行光刻处理。
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