[发明专利]微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法有效
| 申请号： | 201210159883.1 | 申请日： | 2012-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103424998A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 章安娜;李晓明;贺亦峰;许凌燕 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微电机 系统 制造 工艺 聚酰亚胺 刻蚀 去除 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，包括下列步骤：
采用干法去胶机台在顶针顶起状态下对圆片的光刻胶表面进行预处理，包括用等离子体对所述光刻胶表面进行轰击；
对所述光刻胶进行湿法去胶。
2.根据权利要求1所述的微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，其特征在于，所述预处理步骤是在干法刻蚀步骤之后进行的。
3.根据权利要求1所述的微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，其特征在于，所述湿法去胶步骤之后包括用显微镜对去胶情况进行检查的步骤。
4.根据权利要求1所述的微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，其特征在于，所述湿法去胶步骤中采用正性去胶液进行去胶。
5.根据权利要求1所述的微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，其特征在于，所述预处理步骤中所述干法去胶机台的腔体温度为250摄氏度。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，其特征在于，所述预处理步骤的处理时间为30秒。
7.根据权利要求6所述的微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，其特征在于，所述预处理步骤中等离子体轰击去除的光刻胶厚度为
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