[发明专利]超高压组件与操作超高压组件的方法

权利要求书

1.一种超高压组件，其特征在于包括：

第一闸极，用以接收产生自脉冲宽度调变控制器的第一控制信号；

第二闸极，用以接收产生自该脉冲宽度调变控制器的第二控制信号；

汲极，用以接收输入电压；

第一源极；

第二源极；及

第三源极；

其中从该汲极流向该第一源极的第一电流是随该第一控制信号与该输入电压而改变，该第二控制信号是用以控制从该汲极流向该第二源极的第二电流及从该汲极流向该第三源极的第三电流的开启与关闭，其中该第三电流和该第二电流成比例。

2.如权利要求1所述的超高压组件，其特征在于，该第一闸极的厚度与该第二闸极的厚度相同。

3.如权利要求1所述的超高压组件，其特征在于，该第一闸极的厚度大于该第二闸极的厚度。

4.如权利要求1所述的超高压组件，其特征在于，该输入电压是由能量转换电路所产生。

5.如权利要求1所述的超高压组件，其特征在于，该第一电流是做为该脉冲宽度调变控制器的启动电流。

6.一种超高压组件，其特征在于包括：

具有第一导电类型的基底；

具有第二导电类型的第一掺杂井，其中该第一掺杂井形成于该基底之上，且具有延伸部；

具有该第二导电类型的汲极，其中该汲极形成于该第一掺杂井，且该汲极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；

具有该第一导电类型的第二掺杂井，其中该第二掺杂井围绕该延伸部之外的该第一掺杂井且形成于该基底之上；

具有该第二导电类型的第一源极，其中该第一源极形成于该延伸部，且该第一源极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；

第一场氧化层，形成于该第一源极、该汲极及该第二掺杂井之外的该第一掺杂井之上；

第一闸极，形成于该汲极与该第一源极之间，且位于该第一场氧化层之上；

第二闸极，部分形成于该第一掺杂井的该第一场氧化层之上和部分形成于该第二掺杂井之上；

具有该第二导电类型的第二源极，其中该第二源极形成于该第二掺杂井，且该第二源极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；

具有该第二导电类型的第三源极，其中该第三源极形成于该第二掺杂井，且该第三源极的离子浓度较该第一掺杂井的离子浓度高；及

具有该第一导电类型的基极，其中该基极形成于该第二掺杂井，且该基极的离子浓度较该第二掺杂井的离子浓度高。

7.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，该第一掺杂井、该汲极、该第二掺杂井、该第一源极、该第二源极、该第三源极与该基极是通过微影制程与离子植入而形成。

8.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，该汲极、该第一源极与该延伸部是位于同一轴上。

9.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，该第一导电态样是为P型，且该第二导电态样是为N型。

10.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，该第一导电态样是为N型，且该第二导电态样是为P型。

11.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，该第一场氧化层是为区域硅氧化法制作的场氧化层。

12.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，该第一闸极与该第二闸极是为多晶硅闸极。

13.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，另包括：

第二场氧化层，形成于该第三源极与该基极之间的该第二掺杂井之上，且是为区域硅氧化法制作的场氧化层。

14.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，另包括：

第三场氧化层，形成于该基极的一边的该第二掺杂井之上，且是为区域硅氧化法制作的场氧化层。

15.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，该第二源极所对应的该第二闸极的长度是大于该第三源极所对应的该第二闸极的长度。

16.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，该第一闸极的厚度与该第二闸极的厚度相同。

17.如权利要求6所述的超高压组件，其特征在于，该第一闸极的厚度大于该第二闸极的厚度。