[发明专利]一种增强X线防护的光子晶体防护玻璃及其制作方法

权利要求书

1.一种增强X线防护的光子晶体防护玻璃，其特征在于：由重金属X线防护玻璃层（1）和光子晶体层（2）组成，光子晶体层（2）由14层Ge介质层和14层BaF₂介质层相互交替叠加构成（Ge BaF₂）_m（Ge BaF₂）_n型复合结构，其中m=6，n=8，（Ge BaF₂）_m表示m层Ge和m层BaF₂交替叠加构成的复合介质层，其中Ge介质层的厚度为248.45nm，BaF₂介质层的厚度为741.38nm，该复合介质层设置在光子晶体层（2）的内侧，并与重金属X线防护玻璃层（1）连接；（Ge BaF₂）_n表示n层Ge和n层BaF₂交替叠加构成的复合介质层，其中Ge介质层的厚度为388.16nm，BaF₂介质层的厚度为1068.48nm，该复合介质层设置在光子晶体层（2）的外侧。

2.如权利要求1所述的一种增强X线防护的光子晶体防护玻璃的制作方法，其特征在于：

步骤一、取一个f36mm的平板形重金属X线防护玻璃，作为基板，将基板双面抛光，立边抛光，四边有工艺倒角，备用；

步骤二、将加工好的基板表面进行清洁化处理，采用酸性清洗液和去离子水分别清洗基板，然后将基板置于热板上烘干，温度为65°，时间10分钟；

步骤三、将基板放入真空镀膜机，在其一个表面上进行介质材料锗的镀膜，镀膜厚度为248.45nm，镀膜后干燥冷却30分钟，然后在基板镀有锗镀膜层的表面进行介质材料氟化钡的镀膜，镀膜厚度为741.38nm，镀膜后干燥冷却30分钟；

步骤四、按照步骤三的方法交替进行锗和氟化钡镀膜，直至镀好m层锗镀膜层和m层氟化钡镀膜层，其中m=6,在基板上形成结构为（Ge BaF₂）_m的光子晶体复合镀膜层；

步骤五、将步骤四镀有（Ge BaF₂）_m光子晶体复合镀膜层的基板表面上继续进行介质材料锗的镀膜，厚度为388.16nm，镀膜后干燥冷却30分钟；然后在新镀好的锗镀膜层上再进行介质材料氟化钡的镀膜，镀膜厚度为1068.48nm，镀膜后干燥冷却30分钟；

步骤六、按照重复步骤五的方法交替进行锗和氟化钡镀膜，包括步骤五所镀的锗和氟化钡镀膜层，共分别进行n次锗和氟化钡的镀膜，n=8，镀膜完成后干燥冷却30分钟，即制成表面设有（Ge BaF₂）_m（Ge BaF₂）_n型光子晶体结构的光子晶体防护玻璃。