[发明专利]去除单晶硅埚底料中石英的装置及其方法

权利要求书

1.一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，其特征在于：包括保温筒（4），在保温筒（4）内壁设置有加热器（5），在保温筒（4）的外壁设有温控显示器（6），温控显示器（6）与加热器（5）之间通过电控装置连接；在保温筒（4）的内底面上设置有底撑（8），在底撑（8）上放置有反应釜（3），反应釜（3）与加热器（5）同心分布；保温筒（4）安装有上盖板（1），反应釜（3）安装有反应釜盖板（2）。

2.根据权利要求1所述的去除单晶硅埚底料中石英的装置，其特征在于：所述底撑（8）中心有圆柱形定位桩，所述反应釜（3）底部设有与圆柱形定位桩相配合的内凹圆型定位槽。

3.根据权利要求2所述的去除单晶硅埚底料中石英的装置，其特征在于：所述的反应釜（3）与保温筒（4）的容积比为1∶2-5。

4.根据权利要求1、2或3所述的去除单晶硅埚底料中石英的装置，其特征在于：所述加热器（5）为筒状陶瓷纤维加热器，固定安装于保温筒内壁。

5.根据权利要求1、2或3所述的去除单晶硅埚底料中石英的装置，其特征在于：所述加热器（5）是板状加热器，固定安装于保温筒（4）的内底部。

6.根据权利要求1、2或3所述的去除单晶硅埚底料中石英的装置，其特征在于：所述的反应釜盖板（2）为聚丙烯塑料盖板。

7.根据权利要求1、2或3所述的去除单晶硅埚底料中石英的装置，其特征在于：所述的保温筒（4）的外底部安装有底座（7）；所述的温控显示器（6）的面板上安装有水位计。

8.一种采用恒温水浴法去除单晶硅埚底料中石英的方法，其特征在于，利用权利要求1或2所述的装置，按照以下步骤实施：

步骤1、将反应釜（3）对中放入保温筒（4）内的底撑（8）上，再向保温筒（4）内加注自来水至保温筒（4）容积的1/2-2/3；

步骤2、将待去除石英的单晶硅埚底料放入反应釜（3）中，向反应釜（3）内加入氢氟酸，所加氢氟酸液需没过所加的埚底料；

步骤3、盖上反应釜盖板（2），再扣锁好上盖板（1）；

步骤4、开启温控显示器（6）面板上的电源，设置加热器（5）的反应加热功率为500-800W、反应温度为50-70℃；

步骤5、总反应时间为5-10小时，直到埚底料中的石英去除干净即成。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述的步骤1中，向保温筒（4）内加注自来水至保温筒（4）容积的2/3。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述的反应釜（3）与保温筒（4）的容积比为1∶2-5。