[发明专利]光模块有效

专利信息
申请号: 201210145388.5 申请日: 2012-05-11
公开(公告)号: CN102778733A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 西泽寿树;三桥祐司;笠原亮一;小川育生 申请(专利权)人: NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 许海兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 模块
【说明书】:

技术领域

本发明涉及发送或者接收光信号的光模块。

背景技术

以往,提出有发送或者接收光信号的光模块(例如,参照专利文献1)。专利文献1的光模块收容有光元件、搭载光元件的基底(以下,记载为载体)、透镜、以及透镜固定模具。透镜和透镜固定模具通过光学调芯后YAG激光器进行点焊,固定到载体上,并将该载体搭载到模块壳体内而进行模块安装。

【专利文献1】日本特开2000-277843号公报

发明内容

在专利文献1的光模块中,由于在模块壳体外安装载体并将其搭载到模块壳体内,所以存在安装上花费时间这样的课题。进而,在模块壳体内搭载了在模块壳体外光学调芯了的组件的情况下,依赖于组件的高低公差,而光轴位置发生位移,所以向光纤那样的波导的光耦合比较困难。

作为解决该课题的方法,考虑在封装内进行光学调芯,通过YAG激光器对透镜和透镜固定模具进行点焊。但是,由于如图4所示,存在框架118,所以无法使激光的照射角度接近水平,而从上照射激光。由此,光学透镜114有时沉入到透镜保持架117内。由此,发生光轴偏移,成品率降低。特别,在光学透镜114输入输出多个端口的光的情况下,成品率显著降低。

因此,本发明的目的在于提供一种具有在YAG激光焊接时不会发生光轴偏移的构造的光模块。

为了实现上述目的,在本申请发明的光模块中,在具有为了确保封装的刚性而所需的规定的厚度的平板型基底上,搭载了气密密封了发光元件或者受光元件这样的有源型光元件的光半导体封装、光学透镜以及波导型光学元件。

具体而言,本发明提供一种光模块,其特征在于包括:平板型基底,具有规定的厚度;光半导体封装,搭载于所述平板型基底的平面上,对有源型光元件进行气密密封;波导型光学元件,搭载于所述平板型基底的所述平面上,对来自光纤的或者向光纤的光进行波导;光学透镜,搭载于所述平板型基底的所述平面上,连接所述有源型光元件和所述波导型光学元件;以及带框架的盖,固定于所述平板型基底的所述平面上,覆盖所述光半导体封装、所述波导型光学元件以及所述光学透镜。

本申请发明的光模块具备平板型基底、光半导体封装、波导型光学元件、光学透镜、以及带框架的盖,所以能够构成发送或者接收光信号的光模块。此处,在本申请发明的光模块中,在搭载光半导体封装、波导型光学元件以及光学透镜的基底中采用了具有规定的厚度的平板型基底,所以即使没有框架也确保封装的刚性,而能够使将光半导体封装、波导型光学元件以及光学透镜固定到基底时的激光的照射角度接近水平。由于能够使将光半导体封装、波导型光学元件以及光学透镜固定到基底时的激光的照射角度接近水平,所以能够防止在将光半导体封装、波导型光学元件以及光学透镜固定到基底时发生光轴偏移。因此,本申请发明的光模块能够提供具有在YAG激光焊接时不会发生光轴偏移的构造的光模块。

在本申请发明的光模块中,其特征在于:所述平板型基底由科瓦铁镍钴合金(Kovar)构成,所述光半导体封装的框体由陶瓷构成。

科瓦铁镍钴合金和陶瓷的线膨胀系数接近,所以即使在光半导体封装或者波导型光学元件的温度变化了的情况下,变形也少,而能够防止由于温度变化所致的光轴偏移。

在本申请发明的光模块中,其特征在于:所述平板型基底的所述规定的厚度是2.25mm以上5mm以下。

由于平板型基底的厚度是2.25mm以上,所以能够防止平板型基底变形。另外,由于平板型基底的厚度是5mm以下,所以能够使光模块的厚度成为9mm以下。

在本申请发明的光模块中,其特征在于:所述平板型基底在外缘设置有凸缘,所述凸缘的厚度是0.5mm以上5mm以下。

由于凸缘的厚度是0.5mm以上,所以能够防止平板型基底变形,并且能够以充分的强度固定光模块。另外,由于凸缘的厚度是5mm以下,所以能够使光模块的厚度成为9mm以下。

在本申请发明的光模块中,其特征在于:对所述平板型基底的所述平面以及所述带框架的盖的外壁面,实施了Ni镀敷。

由于对平板型基底实施了Ni镀敷,所以能够防止氧化。进而,由于Ni镀敷的反射率低,所以能够进行激光焊接,能够将光半导体封装、波导型光学元件以及光学透镜固定到平板型基底。进而,由于对带框架的盖的外壁面实施了Ni镀敷,所以能够通过激光焊接,将带框架的盖固定到平板型基底。

在本申请发明的光模块中,其特征在于:所述平板型基底的面积大于所述光半导体封装。

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