[发明专利]一种高温超导薄膜磁体有效

专利信息
申请号: 201210138131.7 申请日: 2012-05-04
公开(公告)号: CN102820116A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 顾晨;李易;韩征和 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01F6/00 分类号: H01F6/00;H01B12/02
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 史双元
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高温 超导 薄膜 磁体
【说明书】:

技术领域

发明属于超导电工学技术领域,涉及一种高温超导薄膜磁体。

背景技术

超导磁体从狭义上可定义为以产生背景磁场为目的超导线圈绕组。 从广义上可定义为任何利用导线绕制成以提供安培匝数为目的的线圈绕组。磁体绕组根据外围设备,和使用条件的不同,可构造出各类超导器件。如纯粹提供背景磁场用的超导磁体。除此之外,还有超导限流器,超导储能器,超导电机,超导磁分离器,超导感应加热器。这些超导器件的核心部件都是高温超导绕组。

传统超导磁体都是由超导导线围绕一固定轴绕制而成的。当导线通以电流,在空间会产生磁场。这种由导线绕制磁体的技术随着低温超导工业的发展,已经发展了近60年的时间,已经成功应用于医用核磁成像(MRI),大型高能粒子对撞机等设备。1987 年以YBa2Cu3O7-x为代表的一类氧化物超导材料发现以来,高温超导产业也得到迅速的发展,目前Bi2Sr2Ca2Cu3Ox/Ag(Bi2223/Ag)高温超导线已经实现了产业化,以YBa2Cu3O7-x(YBCO)高温超导导线已经实现了实验室规模产业化。利用这些高温超导导线绕制磁体基本上沿用了传统思路。

但是利用高温超导绕制磁体存在几个问题:第一高温超导属于一种氧化物陶瓷材料,材料本质上易发生断裂,所以超导磁体腔体内径不能很小,如利用Bi2223/Ag多芯超导导线绕制的磁体,通常磁体内腔半径不能小于半径2.5cm,如果小于这个值,带材的载流性能会出现明显下降。所以利用高温超导导线绕制的磁体,体积不能很小。第二,由于高温超导导线比较脆弱,带材在空间中也并不能随意弯曲,无法构成比较复杂的绕组结构,导致高温超导磁体所产生磁体的形态比较单一。 第三,作为利用导线绕制磁体的共同特点就是磁体电感比较大,一般电感会随着绕组匝数平方成正比,作为直流磁体绕组,电感大小并无大碍,但是如果是需要瞬态励磁,退磁的磁体,和需要交流运行的磁体,大电感会直接造成感抗较大,限制励磁速度和退磁速度。

真对利用导线绕制高温超导磁体的一些不足,我们提出了一种全新的基于高温超导薄膜材料的高温超导磁体结构。 这种磁体的基本单元不再超导导线,而是一片片的高温超导薄膜,薄膜上预先包覆有电极,并刻蚀纹路,引导电流流动方向,薄膜可以单独使用,也可以多片超导薄膜通过叠放,电极之间相互连通形成一个大磁体。这种磁体内腔尺寸不受材料性能限制,可以极小,同时利用超导薄膜电流密度很高的特点,可在狭小空间产生大磁场。同时这种磁体匝数很少,电感很小,非常适合快速励磁和退磁。利用先进的光刻技术,还可以在薄膜上刻蚀复杂的电路,形成复杂的电流流动方向,进而形成复杂的磁场分布。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高温超导薄膜磁体。

一种高温超导薄膜磁体,超导薄膜1的中部设有孔洞2,超导薄膜1沿着半径方向设有狭缝3,狭缝3两侧分别设置正极5和负极6,2个以上超导薄膜1以串联方式或并联方式连接;

或者,超导薄膜1刻蚀螺旋线,在螺旋线的最内侧和最外侧分别设置电极,2个以上超导薄膜1以串联方式或并联方式连接。

所述超导薄膜1为圆形或方形。

所述超导薄膜1的中部不设孔洞。

所述串联方式为:第一层超导薄膜的负极连接第二层超导薄膜正极,第二层超导薄膜负极连接第三层超导薄膜正极,以此类推。

所述并联方式为:各层超导薄膜的正极相连,各层超导薄膜的负极相连。

每层超导薄膜1的电极包覆于一个高电导率金属块内,通过金属块之间的焊接实现超导薄膜1之间的电导通。

超导薄膜1整体嵌入高电导率金属块内,金属块与超导薄膜1刻有同样的纹路。

所述超导薄膜1的材料为YBa2Cu3O7-x

本发明的有益效果:本发明以高温超导薄膜为基本单元,通过在每层薄膜上刻蚀纹路和预设电极控制电流流动方向,通过层与层之间的电学连接构成。本发明的高温超导薄膜磁体具有电流密度大,可在狭小空间产生磁场,可产生复杂形态磁场,可以快速励磁的特点,是对传统基于导线绕制成型磁体的一种很好补充。

附图说明

图1 为本发明高温超导薄膜磁体结构示意图;

图2 为方形高温超导薄膜刻蚀螺旋线和预设电极示意图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210138131.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top