[发明专利]电力电子器件的加速寿命测试电路及测试方法有效

专利信息
申请号: 201210135131.1 申请日: 2012-04-28
公开(公告)号: CN102680819A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 张瑾;仇志杰 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R31/02
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电力 电子器件 加速 寿命 测试 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种电力电子器件的加速寿命测试电路,其特征在于,所述的测试电路包括第一开关(K1)、第二开关(K2)、放电电阻(R1),恒流测试电源,失效判断电路和恒流加热电源;所述的第一开关(K1)的一端与被测器件的漏极(D)相连,第一开关(K1)的另一端与被测器件的栅极(G)相连;所述的放电电阻(R1)的一端与被测器件的栅极(G)相连,放电电阻(R1)的另一端与被测器件的源极(S)相连;所述的恒流测试电源的正极与被测器件的漏极(D)相连,恒流测试电源的负极与被测器件的源极(S)相连;失效判断电路的两个输入端分别与测试电源的正极和负极相连;所述的第二开关(K2)的一端与被测器件的漏极(D)相连,第二开关(K2)的另一端与恒流加热电源的正极相连,恒流加热电源的负极与被测器件的源极(S)相连。

2.根据权利要求1所述的电力电子器件的加速寿命测试电路,其特征在于,所述的失效判断电路检测被测器件内部芯片的导通压降,并将所述的导通压降转换为被测器件的结温,用于失效判断:当结温超出失效判定值,则器件失效,否则认为器件完好。

3.权利要求1所述的电力电子器件的加速寿命测试电路的测试方法,其特征在于,所述的测试方法的步骤如下:

第一步,闭合第一开关(K1),断开第二开关(K2),使被测器件处于临界饱和导通状态,此时仅测试电流(Im)流过被测器件;

第二步,保持第一开关(K1)闭合,再闭合第二开关(K2),加热电流(Ih)及测试电流(Im)同时流过被测器件,使被测器件内部芯片结温上升;

第三步,加热过程持续至所述的芯片结温上升到设定值,然后断开第二开关(K2),此时仅有测试电流(Im)流过被测器件;所述的失效判断电路将采集到的第二开关(K2)断开瞬间的被测器件导通压降转换为对应的芯片结温,如果此时芯片的结温超过失效判定值,失效判断电路将做出源极引线失效判断,否则失效判断电路认为源极引线完好;

第四步,源极引线失效判断完成后,断开第一开关(K1);如果全部芯片的门极引线完好,第一开关(K1)闭合时注入的门极电荷将全部通过放电电阻(R1)释放,在此情况下,被测器件处于关断状态,测试电流(Im)流过被测器件将会产生一个无穷大的电压降,失效判断电路检测到这一无穷大电压,将做出所述的门极引线完好判断;如果门极引线脱落,门极上存储的电荷将无法通过放电电阻(R1)释放,因此断开第一开关(K1)无法关断被测器件中所有的功率半导体芯片,此种情况下,被测器件中门极引线脱落的芯片仍处于开通状态,测试电流(Im)流过被测器件会产生一个相对小的电压降,失效判断电路检测到这一电压,将做出门极引线失效判断;若上述步骤执行完毕,被测器件的源极和门极引线均未出现失效,则重复以上步骤,直至出现失效或达到设定的测试循环数后终止。

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