[发明专利]一种像素单元驱动电路、驱动方法、像素单元和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示驱动技术领域，特别涉及一种像素单元驱动电路、驱动方法、像素单元和显示装置。

背景技术

AMOLED能够发光是由于驱动TFT在饱和状态时产生的电流所驱动，即电流驱动发光。图1A为已有基本电流型AMOLED(有源矩阵有机发光二极管面板)像素结构原理图，图1B为其对应的时序图。如图1A所示，已有基本电流型AMOLED像素结构包括OLED、T1、T2、T3、T4和存储电容Cst，其中T1为驱动薄膜晶体管，T2、T3、T4为控制薄膜晶体管，T2的栅极和T3的栅极与输出控制信号CN1的控制线连接，T4的栅极与输出控制信号CN2的控制线连接。该已有电流型AMOLED像素结构直接由外部加入驱动电流Idata，以决定存储电容Cst上的电压，从而产生驱动OLED(有机发光二极管)发光的驱动电流Ioled。在基本电流型AMOLED像素结构中，Ioled等于Idata，而由于Ioled必须在OLED的工作电流范围内，为较小电流，因此Idata也较小，存储电容Cst为大电容，充电速度较慢，特别在低灰阶下，充电时间很长，不适用于高分辨率、高刷新频率的AMOLED显示。

发明内容

本发明实施例提供了一种像素单元驱动电路、驱动方法、像素单元和显示装置，用以解决现有像素单元驱动技术使得存储电容Cst充电速度较慢，特别在低灰阶下，充电时间很长，不适用于高分辨率、高刷新频率的AMOLED显示的问题。

本发明实施例提供了一种像素单元驱动电路，包括：

发光器件，其第一端与第一电平连接；

第六晶体管，其漏极与所述发光器件的第二端连接；

第一晶体管，其漏极与所述第六晶体管的源极连接，源极与第二电平连接；

存储电容，其第一端分别与所述第一晶体管的栅极、第一控制节点、第三控制节点连接，其第二端与第二电平连接；

第二晶体管，其源极与所述第二电平连接，其栅极与所述第三控制节点连接；

开关单元，其分别与提供数据信号电流的数据信号端、提供扫描信号的扫描信号端、所述第一控制节点、所述第三控制节点、所述第二晶体管的漏极连接，并通过第二控制节点与所述第六晶体管的源极连接，所述开关单元用于控制数据信号电流对存储电容进行充电。

其中，优选地，所述开关单元包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，其中：

所述第三晶体管，其源极与所述第三控制节点连接、漏极与所述第二控制节点连接、栅极与所述扫描信号端连接；

所述第四晶体管，其源极与所述第二控制节点连接、漏极与数据信号端连接、栅极与所述扫描信号端连接；

所述第五晶体管，其源极与第一控制节点连接、漏极与所述数据信号端连接、栅极与所述扫描信号端连接。

其中，优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第六晶体管的阈值电压相等。

其中，优选地，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管为N型薄膜晶体管，所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平；或者

所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管为P型薄膜晶体管，所述第一电平为低电平，所述第二电平为高电平；或者

所述第一晶体管、第二晶体管、第六晶体管为N型薄膜晶体管，所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管为P型薄膜晶体管，所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平；或者

所述第一晶体管、第二晶体管、第六晶体管为P型薄膜晶体管，所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管为N型薄膜晶体管，所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。

其中，优选地，所述发光器件为EL或者OLED。

本发明实施例提供了一种像素单元的驱动方法，应用于所述的像素单元驱动电路，包括：

像素充电步骤：开启控制数据信号电流的开关对存储电容进行充电，直到存储电容的电压不再上升；

发光器件发光步骤：关闭控制数据信号电流的开关，开启发光器件控制开关使所述发光器件发光，流经所述发光器件的电流正比于所述数据信号电流。

其中，优选地，流经所述发光器件的电流等于流经所述第一晶体管和第二晶体管的电流之和。

本发明实施例提供了一种像素单元，包括任一所述的像素单元驱动电路。

本发明实施例提供了一种显示装置，包括多个所述的像素单元。