[发明专利]激发光偏离共线型光学系统检测装置及其检测方法

权利要求书

1.激发光偏离共线型光学系统检测装置，沿光路依次设置激发光路、样品检测池和荧光收集光路，其特征在于：所述激发光路发出的激发光与荧光收集光路的角度α为5-50°。

2.如权利要求1所述的激发光偏离共线型光学系统检测装置，其特征在于：所述样品检测池是微流控芯片(11)、毛细管(17)或比色皿(20)。

3.如权利要求1或2所述的激发光偏离共线型光学系统检测装置，其特征在于：所述激发光路包括依次设置的激发光源(5)、衰减片(6)、第一孔光阑(7)、半反半透镜(8)和透镜(9)。

4.如权利要求3所述的激发光偏离共线型光学系统检测装置，其特征在于：所述激发光源(5)采用半导体泵浦固体激光器或染料激光器。

5.如权利要求3所述的激发光偏离共线型光学系统检测装置，其特征在于：所述激发光源(5)发出的激发光经过衰减片(6)和第一孔光阑(7)后，其输出功率为3-7mW。

6.如权利要求3所述的激发光偏离共线型光学系统检测装置，其特征在于：所述激发光源(5)发出的激发光经过衰减片(6)和第一孔光阑(7)后，其直经为50-500μm。

7.如权利要求3所述的激发光偏离共线型光学系统检测装置，其特征在于：所述半反半透镜(8)与水平面之间的角度β为大于15°且小于45°。

8.如权利要求1或2所述的激发光偏离共线型光学系统检测装置，其特征在于：所述荧光收集光路沿光路依次设置透镜(9)、半反半透镜(8)、高通滤光片(12)、带通滤光片(13)、第二孔光阑(14)、光电检测器(15)。

9.如权利要求8所述的激发光偏离共线型光学系统检测装置，其特征在于：所述光电检测器(15)采用光电倍增管、雪崩二极管、CCD或二极管阵列检测器。

10.权利要求3所述的激发光偏离共线型光学系统检测装置的检测方法，其特征在于：所述激发光源(5)发出的激发光经半反半透镜(8)反射后，通过透镜(9)的非中心部位的折射，再经过样品检测池的折射，激发光经一系列梯度折射后照射在样品检测池的检测点上，实现待测物质荧光激发，发射的荧光经过透镜(9)的中心被收集。