[发明专利]一种为存储单元提供稳定电压的系统

说明书

技术领域

本发明涉及存储器设计技术领域，特别是涉及一种为存储单元提供稳定电压的系统。

背景技术

在对存储器进行读操作的过程中，需要将存储单元的供电电压控制在同样的电平，而且为了保证存储器的性能稳定，该供电电压应稳定，且不随电源电压的变化而变化。以Flash存储器为例，其存储单元的供电电压应稳定为1伏。

图1为现有技术提供的为存储单元(标为CELL)提供电压的系统的结构图，该图中的CELL是用MOS管(金属氧化物半导体场效应管)来实现的，供电电压加在其漏极上。如图1所示，该系统包括一个PMOS管(P沟道金属氧化物半导体场效应管)MP1-1和五个NMOS管(N沟道金属氧化物半导体场效应管)MN1-1、MN1-2、MN1-3、MN1-4和MN1-5。其中，MP1-1的源极、MN1-1和MN1-2的栅极均接电源，MN1-4和MN1-5的源极均接地；MP1-1的栅极与MN1-5的栅极相连，进而与使能信号EN相连；MP1-1的漏极、MN1-5和MN1-4的漏极以及MN1-3的栅极相连；MN1-1的漏极、MN1-3的源极以及MN1-4的栅极相连；MN1-1的源极与MN1-2的漏极相连；MN1-2的源极对工作于线性区的CELL供电。

设定MN1-4工作在线性区，MN1-3工作在饱和区，则有下式成立：

K₃(V_G-V_S-V_T3)²＝V_S/R_C                        (1)

其中，K₃为与MN1-3的电学特性相关的一个常数，V_G为MN1-3的栅极电压，V_S为MN1-3的源极电压，V_T3为MN1-3的阈值电压，R_C为CELL的电阻。

对式(1)求解可知，V_S是由V_G唯一确定的。

图1中，V_G由MN1-4和MP1-1的电阻对电源电压VDD分压而得到，由此可得式(2)成立：

VGK4(VS-VT4)=VDDR1+1aK4(VS-VT4)---(2)]]>

该式中的a为一常数，K₄为与MN1-3的电学特性相关的一个常数，V_T4为MN1-4的阈值电压，R₁为MP1-1的导通电阻。

通过联立式(1)和式(2)求解可知：V_G由VDD唯一确定。因此，VDD可决定V_G和V_S的唯一解，这样，在VDD不稳的情况下，V_S也就不稳定，该系统供给CELL漏端的电压也就不稳定。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种为存储单元提供稳定电压的系统，能向存储单元提供不随电源电压改变的稳定电压。