[发明专利]光感测装置和驱动光感测装置的方法有效
申请号: | 201210115204.0 | 申请日: | 2012-04-18 |
公开(公告)号: | CN102759400B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 田尚勋;宋利宪;安承彦;金昌桢;金暎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 金玉洁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光感测 装置 驱动 方法 | ||
1.一种光感测装置,包括:
光感测像素的阵列,所述光感测像素中的每一个包括:
光传感器晶体管,被配置为感测光,
开关晶体管,被配置为输出来自光传感器晶体管的光感测信号,以及
在开关晶体管的光入射表面上的导电遮光膜;
第一栅极驱动器,包括:
栅极线,被配置为连接到所述光感测像素中的至少一个中的开关晶体管的栅电极,并且被配置为向该栅电极施加栅极电压,以及
偏置线,被配置为连接到所述光感测像素中的至少一个中的导电遮光膜,并且被配置为向该导电遮光膜施加负偏置电压;以及
信号输出单元,被配置为从光感测像素中的每一个接收光感测信号,所述信号输出单元被配置为输出数据信号。
2.如权利要求1所述的光感测装置,其中
所述光感测像素的阵列包括按列和行排列的光感测像素,
所述第一栅极驱动器包括在行方向排列的多条栅极线,以及
所述栅极线中的每一条被配置为向沿同一行排列的光感测像素提供栅极电压。
3.如权利要求2所述的光感测装置,其中所述第一栅极驱动器包括:
在行方向排列的多条偏置线,并且
所述偏置线中的每一条被配置为向沿同一行排列的光感测像素提供负偏置电压。
4.如权利要求1所述的光感测装置,其中
所述第一栅极驱动器被配置为,向全部光感测像素同时提供相同的负偏置电压。
5.如权利要求1所述的光感测装置,还包括:
第二栅极驱动器,被配置为向所述光感测像素中的每一个提供复位信号。
6.如权利要求5所述的光感测装置,其中所述第二栅极驱动器包括:
复位线,其连接到所述光感测像素中的至少一个中的光传感器晶体管的栅电极,
所述复位线被配置为,向所述光感测像素中的至少一个提供复位信号。
7.如权利要求6所述的光感测装置,其中
所述光感测像素的阵列包括按列和行排列的光感测像素,
所述第二栅极驱动器包括在行方向排列的多条复位线,并且
所述复位线中的每一条被配置为向沿同一行排列的多个光感测像素提供复位信号。
8.如权利要求1所述的光感测装置,其中
所述光传感器晶体管包括包含氧化物半导体材料的沟道膜,并且
所述开关晶体管包括包含氧化物半导体材料的沟道膜。
9.如权利要求8所述的光感测装置,其中
所述光传感器晶体管的沟道膜和所述开关晶体管的沟道膜包括相同的氧化物半导体材料。
10.如权利要求8所述的光感测装置,其中所述光传感器晶体管的沟道膜和所述开关晶体管的沟道膜中的至少一个的氧化物半导体材料包括:
ZnO、InO、SnO、InZnO、ZnSnO、InSnO及其组合中的至少一个;以及
铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、钽(Ta)、镓(Ga)、铌(Nb)、钒(V)、铝(Al)和锡(Sn)中的至少一个。
11.如权利要求1所述的光感测装置,其中所述光感测像素中的每一个包括:
衬底;
至少部分地在衬底上的第一栅电极和第二栅电极;
在衬底上以覆盖第一栅电极和第二栅电极的栅极绝缘膜;
在栅极绝缘膜和第一栅电极上的第一沟道膜;
在栅极绝缘膜和第二栅电极上的第二沟道膜;
在第一沟道膜的第一侧上的第一源/漏电极;
在第一沟道膜的第二侧和第二沟道膜的第一侧之间的第二源/漏电极;
在第二沟道膜的第二侧上的第三源/漏电极;以及
覆盖第一到第三源/漏电极以及第一沟道膜和第二沟道膜的透明绝缘层。
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