[发明专利]用于调节辐射束的光学设备、光刻设备和器件制造方法有效
申请号: | 201210107106.2 | 申请日: | 2012-04-12 |
公开(公告)号: | CN102736444A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | G·C·德弗里斯;简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;F·J·J·杰森;N·A·J·M·范阿尔勒 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B17/06;G02B5/08;G02B5/02;G02B1/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 调节 辐射 光学 设备 光刻 器件 制造 方法 | ||
1.一种用于调节辐射束的光学设备,所述设备包括:
第一反射部件,所述第一反射部件布置成接收来自辐射源的辐射束,并将所述辐射束反射至第二反射部件,第一反射部件包括初级反射元件;
第二反射部件,所述第二反射部件布置成将所述束反射至目标位置并包括次级反射元件阵列,
其中,
初级反射元件布置成将在第一波长范围内的辐射反射至相关的次级反射元件或反射至相关的次级反射元件的子组中的一个次级反射元件,和其中初级反射元件形成为使得在第二波长范围内的辐射将遭受一定程度的散射,该散射程度被设定为使得在第二波长范围内的所述辐射的大部分被朝向第二反射部件引导,而不是朝向相关的次级反射元件或朝向相关的次级反射元件的所述子组引导。
2.如权利要求1所述的光学设备,其中所述散射程度使得在第二波长范围内的辐射的小于25%,可选地小于15%、5%或1%被从初级反射元件引导至相关的次级反射元件或引导至相关的次级反射元件的子组中的一个次级反射元件。
3.如权利要求2所述的光学设备,其中从初级反射元件至相关的次级反射元件或至相关的次级反射元件的子组中的一个次级反射元件的距离大于所述相关的次级反射元件或相关的次级反射元件的子组中的一个次级反射元件的最小横向尺寸的10倍,可选地大于所述相关的次级反射元件或相关的次级反射元件的子组中的一个次级反射元件的最小横向尺寸的20倍。
4.如权利要求1-3中任一项所述光学设备,其中第一波长范围在EUV波长范围的5-20nm内,或在13-14nm范围内或在6.5-7nm范围内。
5.如权利要求1-4中任一项所述光学设备,其中第二波长范围在DUV波长范围的100-400nm范围内,或可选地在110-300nm波长范围内。
6.如权利要求1-5中任一项所述光学设备,其中初级反射元件的方向是可控制的,以便在不同时间将辐射朝向相关的次级反射元件的所述子组中的一个次级反射元件引导,相关的次级反射元件中的每一个被将沿离开目标位置的方向引导从初级反射元件接收的辐射的次级反射元件围绕在次级反射元件阵列中。
7.如权利要求1-6中任一项所述光学设备,其中初级反射元件包括用于反射在第一波长范围内的辐射的反射镜结构和在所述反射镜结构顶部上的涂层,所述涂层用于对第二波长范围中的辐射施加该程度的散射。
8.如权利要求7所述光学设备,其中所述涂层包括厚度小于30nm的层。
9.如权利要求7所述光学设备,其中所述涂层包括尺寸小于100nm、可选地小于30nm的硅粒的层。
10.如权利要求9所述光学设备,其中硅粒的层基本上是单层。
11.如权利要求7-10中任一项所述光学设备,其中所述涂层包括波纹状层。
12.如权利要求1-11中任一项所述光学设备,其中初级反射元件包含相位光栅结构,所述相位光栅结构配置成抑制在第三波长范围内的辐射朝向目标位置的反射,在第三波长范围中的波长长于1μm。
13.如权利要求1-12中任一项所述光学设备,其中初级反射元件是初级反射元件阵列中的一个初级反射元件,并且其中次级反射元件中的每一个布置成在场平面处或场平面附近形成其相关的初级反射元件的图像,相应的图像基本上是重叠的。
14.一种光刻设备,包括:
照射系统;
支撑结构,构造用以支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束;
衬底台,构造成保持衬底;
投影系统,配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;和
如权利要求1-13中任一项所述的光学设备,配置成调节照射系统中的辐射束。
15.一种器件制造方法,包括步骤:将图案化的辐射束投影到衬底上,其中图案化的辐射束由通过如权利要求1-13中任一项所述的光学设备调节的辐射束形成。
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