[发明专利]一种可抗共模噪声干扰的高压侧栅驱动电路

权利要求书

1.一种可抗共模噪声干扰的高压侧栅驱动电路，包括高压电平位移电路(1)，逻辑滤波电路(3)，RS触发器(4)，输出驱动级电路(5)，其中高压电平位移电路(1)的输入由低压侧脉冲产生电路提供，逻辑滤波电路(3)的输出经过RS触发器(4)进入输出驱动级电路(5)，其特征在于，在高压电平位移电路(1)与逻辑滤波电路(3)之间设有电压转换钳位电路(2)，所述高压电平位移电路(1)的输出接电压转换钳位电路(2)的输入端，电压转换钳位电路(2)的输出端接逻辑滤波电路(3)的输入端，所述电压转换钳位电路(2)由PMOS管M1、PMOS管M2，NMOS管M3，电阻R1、电阻R2以及与门AND1组成，PMOS管M1的栅端接高压电平位移电路(1)的输出端Vset，PMOS管M2的栅端接高压电平位移电路(1)的输出端Vreset，PMOS管M1、PMOS管M2的源端均接高压侧电源VB，PMOS管M1的漏端接电阻R1，PMOS管M2的漏端接电阻R2，电阻R1、电阻R2的另一端均接高压侧浮动地VS，NMOS管M3的栅端接与门AND1的输出端，NMOS管M3的漏端接PMOS管M1的漏端，NMOS管M3的源端接PMOS管M2的漏端，与门AND1的两路输入分别接PMOS管M1的漏端和PMOS管M2的漏端，同时与门AND1的两路输入分别接至逻辑滤波电路(3)的两路输入端并分别用于将Set信号及Reset信号传输至逻辑滤波电路(3)，并且与门AND1的输入翻转电平低于后级逻辑滤波电路(3)的输入翻转电平。

2.根据权利要求1所述的可抗共模噪声干扰的高压侧栅驱动电路，其特征在于，所述的高压电平位移电路(1)包括LDMOS管LDM1、LDMOS管LDM2，齐纳二极管D₁、齐纳二极管D₂，电阻R_D1、电阻R_D2，LDMOS管LDM1的栅端接前级脉冲产生电路的V_ON端，LDMOS管LDM2的栅端接前级脉冲产生电路的V_OFF端，LDMOS管LDM1和LDMOS管M2的源端均接低侧低COM，LDMOS管LDM1的漏端接电阻R_D1，同时LDMOS管LDM1的漏端接齐纳二极管D₁的阳极，LDMOS管LDM2的漏端接电阻R_D2，同时LDMOS管LDM2的漏端接齐纳二极管D₂的阳极，电阻R_D1、电阻R_D2的另一端均接高压侧电源VB，齐纳二极管D₁的阴极、齐纳二极管D₂的阴极均接高压侧电源VB。

3.根据权利要求1所述的可抗共模噪声干扰的高压侧栅驱动电路，其特征在于，所述的逻辑滤波电路(3)包括反相器INV1、反相器INV2，或非门NOR1、或非门NOR2和与门AND2，反相器INV1的输入端接收电压转换钳位电路(2)输出的Set信号，同时反相器INV1的输入端和与门AND2的一个输入端相连，反相器INV2的输入端接收电压转换钳位电路(2)输出的Reset信号，同时反相器INV2的输入端和与门AND2的另一个输入端相连，反相器INV1的输出端和与门AND2的输出端分别连接至或非门NOR1的第一、第二输入端，反相器INV2的输出端和与门AND2的输出端分别连接至或非门NOR2的第一、第二输入端，或非门NOR1的输出端与RS触发器(4)的S端相连，或非门NOR2的输出端与RS触发器(4)的R端相连。

4.根据权利要求1所述的可抗共模噪声干扰的高压侧栅驱动电路，其特征在于，所述的输出驱动级电路(5)包括反相器INV3、反相器INV4、反相器INV5、反相器INV6，反相器INV3的输入端接RS触发器的输出端Q，反相器INV4的输入端接反相器INV3的输出端，反相器INV5的输入端接反相器INV4的输出端，反相器INV6的输入端接反相器INV5的输出端，反相器INV6的输出端输出信号HO驱动外部高侧功率管。