[发明专利]化合物、电荷输送膜、光电转换装置、电子照相感光体及制造方法、处理盒和图像形成装置有效

专利信息
申请号: 201210099808.0 申请日: 2012-04-06
公开(公告)号: CN102952027A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 额田克己;山田涉;佐佐木知也;岩馆侑子;梶原贤志 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: C07C217/76 分类号: C07C217/76;C07C213/06;G03G5/04;G03G5/06;G03G5/147;G03G21/18;G03G15/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 化合物 电荷 输送 光电 转换 装置 电子 照相 感光 制造 方法 处理 图像 形成
【权利要求书】:

1.一种化合物,所述化合物由下式(I)表示:

其中,在式(I)中,F表示电荷输送骨架,L表示包含-(CH2)n-O-基团的二价连接基团,m表示1~8的整数,并且n表示3~6的整数。

2.如权利要求1所述的化合物,其中,该由式(I)表示的化合物由下式(II)表示:

其中,在式(II)中,Ar1~Ar4中每一个独立表示具有取代基或不具有取代基的芳基,Ar5表示具有取代基或不具有取代基的芳基或者具有取代基或不具有取代基的亚芳基,c1~c5中每一个表示0~2的整数并且c1~c5之和为1~8的整数,k表示0或1,并且D是由下式(III)表示的基团:

其中,在式(III)中,L表示二价连接基团,所述二价连接基团包含直接与Ar1~Ar4的芳基和Ar5的芳基或亚芳基连接的-(CH2)n-O-基团,并且n表示3~6的整数。

3.如权利要求1所述的化合物,

其中,式(I)中的m为3~8的整数。

4.如权利要求2所述的化合物,

其中,式(II)中c1~c5之和为3~8的整数。

5.一种电荷输送膜,所述电荷输送膜包含权利要求1所述的化合物或源于权利要求1所述化合物的结构体。

6.一种电荷输送膜,所述电荷输送膜包含:

通过固化含有权利要求1所述化合物的组合物而获得的固化材料。

7.一种光电转换装置,所述光电转换装置包含权利要求5所述的电荷输送膜。

8.一种电子照相感光体,所述电子照相感光体包含:

导电性基体;和

设置在所述导电性基体上的感光层,

其中,其最外表面层含有权利要求1所述的化合物或源于权利要求1所述化合物的结构体。

9.如权利要求8所述的电子照相感光体,

其中,所述最外表面层是含有权利要求1所述化合物的组合物的固化膜。

10.如权利要求9所述的电子照相感光体,

其中,所述组合物含有与权利要求1所述的化合物反应的第二化合物。

11.如权利要求9所述的电子照相感光体,

其中,所述组合物含有不与权利要求1所述的化合物反应的聚合物。

12.如权利要求10所述的电子照相感光体,

其中,所述与权利要求1所述的化合物反应的第二化合物是不具有电荷输送性的单体或低聚物。

13.如权利要求10所述的电子照相感光体,

其中,所述与权利要求1所述的化合物反应的第二化合物是具有电荷输送性的电荷输送化合物。

14.如权利要求9所述的电子照相感光体,

其中,通过利用热、光或电子束固化所述组合物而获得所述固化膜。

15.如权利要求8所述的电子照相感光体,

其中,所述最外表面层含有颗粒。

16.如权利要求8所述的电子照相感光体,

其中,所述最外表面层是保护层。

17.如权利要求8所述的电子照相感光体,所述电子照相感光体还包含在所述导电性基体与所述最外表面层之间的与所述最外表面层相邻的相邻层,

其中,所述相邻层含有粘均分子量为50000以上的树脂。

18.一种电子照相感光体的制造方法,所述方法包括:

在需要涂布的表面上涂布含有组合物的涂布液从而形成涂布膜,所述组合物含有权利要求1所述的化合物;然后

通过在100℃~170℃的条件下加热而使所述涂布膜固化。

19.一种可从图像形成装置上拆卸的处理盒,所述处理盒包含权利要求8所述的电子照相感光体。

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