[发明专利]包括桥部的堆叠式声学谐振器

权利要求书

1.一种体声波(BAW)谐振器结构，包括：

第一电极，其设置在衬底上；

第一压电层，其设置在所述第一电极上；

第二电极，其设置在所述第一压电层上；

第二压电层，其设置在所述第二电极上；

第三电极，其设置在所述第二压电层上；和

桥部，其设置在所述第一电极和所述第三电极之间。

2.根据权利要求1所述的BAW谐振器结构，其中，所述桥部是第一桥部，所述BAW谐振器结构还包括设置在所述第一电极和所述第三电极之间的第二桥部。

3.根据权利要求1所述的BAW谐振器结构，其中，所述BAW谐振器具有对所述BAW谐振器的有源区进行限界的第一周边，所述桥部沿着所述第一周边设置。

4.根据权利要求2所述的BAW谐振器结构，其中，所述BAW谐振器具有对所述BAW谐振器的有源区进行限界的第二周边，所述第二桥部沿着所述第二周边设置。

5.根据权利要求1所述的BAW谐振器结构，其中，所述桥部包括具有声阻抗的填充材料。

6.根据权利要求2所述的BAW谐振器结构，其中，所述第一桥部包括具有声阻抗的填充材料。

7.根据权利要求2所述的BAW谐振器结构，其中，所述第二桥部包括具有声阻抗的填充材料。

8.根据权利要求1所述的BAW谐振器结构，其中，所述桥部具有梯形截面形状。

9.根据权利要求1所述的BAW谐振器结构，其中，所述桥部包括设置在第一上电极中的第一桥部，所述BAW谐振器还包括设置在第二上电极中的第二桥部。

10.根据权利要求9所述的BAW谐振器结构，其中，所述第一桥部沿着所述BAW谐振器结构的第一周边设置。

11.根据权利要求9所述的BAW谐振器结构，其中，所述第二桥部沿着所述BAW谐振器结构的第二周边设置。

12.根据权利要求1所述的BAW谐振器结构，其中，所述桥部包括设置在所述第一压电层中的第一桥部，所述BAW谐振器还包括设置在所述第二压电层中的第二桥部。

13.根据权利要求12所述的BAW谐振器结构，其中，所述第一桥部沿着所述BAW谐振器结构的第一周边设置。

14.根据权利要求12所述的BAW谐振器结构，其中，所述第二桥部沿着所述BAW谐振器结构的第二周边设置。

15.根据权利要求2所述的BAW谐振器结构，其中，所述第一桥部和所述第二桥部都不被设置在所述第一电极中。

16.根据权利要求6所述的BAW谐振器结构，其中，所述填充材料包括不可蚀刻硅硼酸盐玻璃(NEBSG)。

17.根据权利要求7所述的BAW谐振器结构，其中，所述填充材料包括不可蚀刻硅硼酸盐玻璃(NEBSG)。

18.一种体声波(BAW)谐振器结构，包括：

第一电极，其设置在衬底上；

第一压电层，其设置在所述第一电极上；

第二电极，其设置在所述第一压电层上；

第二压电层，其设置在所述第二电极上；

第三电极，其设置在所述第二压电层上；

桥部，其设置在所述第一电极和所述第三电极之间；和

内部凸起区域，其设置在所述第三电极上。

19.根据权利要求18所述的BAW谐振器结构，还包括设置在所述第三电极上的外部凸起区域。

20.根据权利要求18所述的BAW谐振器结构，其中，所述BAW谐振器具有对所述BAW谐振器的有源区进行限界的第一周边，所述桥部沿着所述第一周边设置，所述内部凸起区域处于所述有源区中。