[发明专利]双绞线及双绞线电缆

说明书

技术领域

本发明涉及LAN(Local Area Network，局域网)用、差动信号用等高频区域使用的双绞线以及双绞线电缆。

背景技术

在LAN用电缆的主要部分(100m线路长度之中90m区间)上，禁止使用绞线导体。理由是因为在长期的使用中，湿气(水分)进入绞线导体的单线间的间隙(以下称为间隙空间)，使高频电阻、漏泄电导增加，使传输损失衰减量(以下称为衰减量)增加。

另一方面，在产业用途中，由于因绞线导体的柔性而易于铺设、能够用于振动的设备等原因，被用于作业用LAN电缆等使用线路长度短的用途。但是，在长期的使用中，在用于较长的距离时，传输损失增加，由于系统错误、数据BER(Bit Error Rate，误码率)恶化而引起障碍。

图7表示用于使用线路长度短的用途的、使用了以往技术的绞线导体的双绞线电缆的剖视图。

该双绞线电缆70具有将七根单线12以1/6结构(将配置在中央的一根单线12用绞成螺旋状的六根单线12包围的结构)绞合的绞线导体13，用包覆体33包覆绞线导体13而形成包覆单线72，而且用总包覆体16包覆将该包覆单线72进行了双股扭绞的双绞线71而成。

专利文献1：日本特开2001-6452号公报

作为能够制造绞线导体的条件，必须扭绞单线。如果不进行扭绞，则成为单线导体集合体、若卷绕到线轴上，则单线彼此相互缠绕而无法制造。

用扭绞角A扭绞单线(单线直径d)的绞线导体如图8所示，在绞线导体的长度方向上，以间隔L＝d/cosA的间距存在单线彼此的接触面。因此，作为绞线导体的等效体积电阻率(高频电阻)，不是导体自身，而是由导体(主要部分)、单线彼此的接触面和其间隙空间构成的体积电阻率。

在此，在如下的公式(1)～(3)中表示了绞线导体中的衰减量α、电阻衰减量α_R、漏泄衰减量α_g、等效体积电阻率ρ、介质损耗角正切tanδ的关系。而且，其中，高频电流交流传播的等效表皮厚度t、绞线导体直径D、频率f、线对的特性阻抗Z_c、线对的相互静电电容C、漏泄电导G＝2πfCtanδ。

α＝α_R+α_g                 (1)

α_R＝2ρ/(πDt)/(2Zc)       (2)

α_g＝GZc/2                  (3)

如果长期使用绞线导体，则湿气进入单线间的间隙，金属腐蚀。因此，在单线的表面上形成由于腐蚀造成的凹凸，单线彼此就不是面接触，而是成为点接触。其结果，接触电阻便从1.3倍增大到数倍。进而，如果扭绞角A小，则间隔L也变小，绞线导体的长度方向上的间隙空间的频率(单线彼此接触的频率)也增加，因此接触电阻增大的影响也相应地变大，等效体积电阻率ρ(高频电阻)增大到数十倍。这便使衰减量之中的电阻衰减量增大，成为不合格的主要原因。而且，在间隙空间的湿气增大的情况下，由于导体间的电场还包括间隙空间，因此引起tanδ的劣化(漏泄电导G的劣化)，使衰减量之中的漏泄衰减量增大，成为不合格的次要原因。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而做出的，目的在于在使用了绞线导体的双绞线以及双绞线电缆中，降低因湿气造成的衰减量的增大。

为了达到上述目的而做出的本发明是一种双绞线，将用包覆体包覆绞线导体而形成的包覆单线进行双股扭绞而成，所述包覆体由配合了硅烷偶联剂的包覆体材料形成。

另外，本发明是一种双绞线，将用包覆体包覆绞线导体而形成的包覆单线进行双股扭绞而成，所述绞线导体由两层包覆体包覆，该两层包覆体之中与所述绞线导体接触的内层包覆体由配合了硅烷偶联剂的包覆体材料形成。

所述包覆体材料中的所述硅烷偶联剂的配合比为0.5质量％以上2.0质量％以下即可。

另外，本发明是一种双绞线，将用包覆体包覆绞线导体而形成的包覆单线进行双股扭绞而成，所述包覆单线用包覆体包覆涂覆了硅烷偶联剂的绞线导体而形成。

另外，本发明是一种双绞线电缆，至少使用一根上述任意一项所述的双绞线，用含阻燃剂的总包覆体包覆该双绞线而形成。

本发明具有如下有益效果。

根据本发明，在使用了绞线导体的双绞线以及双绞线电缆中，能够降低因湿气造成的衰减量的增大。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的双绞线电缆的结构的剖视图。