[发明专利]用于读出放大器的可调整参考发生器

说明书

技术领域

公开了一种用于读出放大器（sense amplifier）中的可调整电流参考发生器（trimmable current reference generator）。

背景技术

使用浮栅（floating gate）来在其上存储电荷的非易失性半导体存储单元和形成在半导体基底中的这种非易失性存储单元的存储阵列在现有技术中是公知的。典型地，这种浮栅存储单元具有分栅（split gate）类型或者叠栅（stacked gate）类型。

通常使用读出放大器对浮栅存储单元执行读操作。用于这个目的的读出放大器公开于美国专利No. 5,386,158(“’158专利”)，该专利为了所有目的而包括于此以资参考。’158专利公开了使用汲取（draw）已知量的电流的参考单元。’158专利依赖于用于反映（mirror）由参考单元汲取的电流的电流反射镜（current mirror）和用于反映由选定存储单元汲取的电流的另一电流反射镜。然后比较每个电流反射镜中的电流，并且基于哪个电流较大能够确定存储在存储单元中的值(例如，0或者1)。

另一读出放大器公开于美国专利No. 5,910,914(“’914专利”)，该专利为了所有目的而包括于此以资参考。’914专利公开了一种读出电路，用于能够存储超过一位数据的多电平浮栅存储单元。它公开了用于确定存储在存储单元中的值(例如，00、01、10或者11)的多个参考单元的使用。在这种方案中也使用电流反射镜。

使用参考单元的替换方案是使用参考电流。参考电流用于确定存储在存储单元中的值。这是现有技术中已知的技术。然而，这种方案的一个缺点在于：如果同一参考电路用于半导体管芯内的每个存储单元，则在正常操作期间管芯内的温度变化或者在加工期间的温度变化将会导致参考电流在整个管芯上变化。

所需要的是一种使用电流参考信号的改进的读出电路，其中该信号可被调整以考虑在半导体管芯内发生的温度变化和工艺变化。

发明内容

通过提供一种用于读出放大器的可调整参考发生器解决前述问题和需求。在一个实施例中，参考发生器包括可变电阻器，该可变电阻器在制造过程期间被调整以基于例如读出放大器在管芯内的位置针对读出放大器的特定热和装置特性优化读出放大器的操作。

通过回顾说明书、权利要求和附图，本发明的其它目的和特征将会变得清楚。

附图说明

图1是包括可调整电流参考发生器的读出电路实施例的示例性方框图。

图2是包括可调整电流参考发生器的读出电路实施例的示例性电路图。

图3是能够用于设置可调整电流参考发生器中的可变电阻器的测试电路实施例的示例性方框图。

图4是能够用于设置可调整电流参考发生器中的可变电阻器的测试电路实施例的示例性电路图。

具体实施方式

现在将参照图1描述实施例。读出放大器100包括：可调整参考发生器10、电流反射镜20、比较器40、比较器输出50和调整控制器（trim controller）60。可调整参考发生器10耦合到电流反射镜20，从而电流反射镜20将会产生与可调整参考发生器10相同量的电流i_REF。电流反射镜20耦合到比较器40和选定存储单元30。选定存储单元30将会汲取与存储在选定存储单元30中的值相关的特定量的电流i_S。例如，如果选定存储单元30存储“0”，则i_S将会通常接近0 amp。如果选定存储单元30存储“1”，则i_S将会大于0 amp (例如，1 mA)。比较器40将会比较i_REF和i_S。如果i_S>i_REF，则比较器输出50将会是“0”。如果i_S<i_REF，则比较器输出50将会是“1”。因此，比较器输出50代表存储在选定存储单元30中的数据的反相值（inverted value）。可选地，能够使输出50经过反相器以产生存储在选定存储单元30中的值。调整控制器60耦合到比较器输出50。该耦合可选地能够仅在调整过程期间存在(诸如，通过开关)。