[发明专利]自持式耐高压电力供应有效

专利信息
申请号: 201210087634.6 申请日: 2012-03-29
公开(公告)号: CN102739042A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 尼科尔·加涅;格雷戈里·马赫 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;飞兆半导体公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘国伟
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 自持 高压 电力供应
【权利要求书】:

1.一种电力供应系统,其包括:

箝位电路,其经配置以在总线电力供应的斜升周期期间接收总线电力供应,所述箝位电路经配置以产生具有基于所述总线电力供应的电压的电压的经箝位电力供应,所述箝位电路进一步经配置以箝位所述总线电力供应上存在的过电压;

电荷泵电路,其经配置以产生与所述总线电力供应无关的电压设定点信号,所述电压设定点信号指示所述经箝位电力供应上的预定电压电平;及

开关电路,其耦合在所述总线电力供应与所述经箝位电力供应之间,所述开关电路经配置以由所述电压设定点信号控制,且进一步经配置以在所述经箝位电力供应上产生小于所述电压设定点信号的电压电平。

2.根据权利要求1所述的电力供应系统,其中所述开关电路进一步经配置以箝位所述总线电力供应上大于所述电压设定点信号的电压电平。

3.根据权利要求1所述的电力供应系统,其进一步包括调整器电路,所述调整器电路经配置以基于所述经箝位电力供应且无关于所述总线电力供应而产生经调整电力供应;其中所述电荷泵电路进一步经配置以基于所述经调整电力供应产生所述电压设定点信号。

4.根据权利要求3所述的电力供应系统,其中所述电荷泵电路经配置以通过电平移位所述经调整电力供应来产生所述电压设定点信号。

5.根据权利要求1所述的电力供应系统,其进一步包括总线检测电路,所述总线检测电路经配置以检测所述总线电力供应上的电压电平,且产生指示所述总线电力供应是在所述斜升周期还是全通周期中的控制信号;其中所述电荷泵电路进一步经配置以基于所述控制信号产生所述电压设定点信号。

6.根据权利要求5所述的电力供应系统,其进一步包括变换器电路,所述变换器电路经配置以将所述控制信号的电压变换为近似等于所述经箝位电力供应的电压的电压。

7.根据权利要求1所述的电力供应系统,其中所述开关电路包括以源极跟随器配置耦合在所述总线电力供应与所述经箝位电力供应之间的高压NMOS晶体管;其中所述NMOS晶体管的源极电压被限制于所述NMOS晶体管的由所述电压设定点信号供应的栅极电压减去所述NMOS晶体管的电压阈值。

8.根据权利要求1所述的电力供应系统,其中所述箝位电路及所述开关电路并联耦合到所述总线电力供应,且其中在所述总线电力供应的全通周期期间,所述开关电路的传导状态由所述电压设定点信号控制以限制所述经箝位电力供应上的所述电压。

9.根据权利要求1所述的电力供应系统,其中所述箝位电路包括:耐高压开关电路,其耦合在所述总线电力供应与所述经箝位电力供应之间;及控制电路,其经配置以产生参考电压以控制所述耐高压开关电路,使得在所述总线电力供应的所述斜升周期期间,所述经箝位电力供应是基于所述耐高压开关电路的阈值电压及所述参考电压。

10.根据权利要求9所述的电力供应系统,其中所述控制电路包括参考电流源及至少一个二极管,所述二极管耦合到所述总线电力供应且经配置以产生具有电压值的参考电压信号,在所述斜升周期期间,所述电压值控制所述耐高压开关电路在饱和模式下操作。

11.根据权利要求5所述的电力供应系统,其中所述电荷泵电路包括振荡器电路及电压倍增器电路;其中所述振荡器电路经配置以由所述控制信号启用且产生时钟脉冲信号,且所述倍增器电路经配置以基于所述时钟脉冲信号而增大所述经调整电力供应的电压,以产生所述电压设定点信号。

12.根据权利要求3所述的电力供应系统,其中所述调整器电路包含:带隙参考电压电路,其经配置以产生带隙参考电压;放大器电路,其经配置以接收所述带隙参考电压;及开关电路,其耦合到所述经箝位电力供应且耦合到所述放大器电路的输入;其中所述开关电路由所述放大器电路控制,使得所述开关电路以线性模式操作,且其中所述开关电路经配置以产生所述经调整电力供应。

13.根据权利1所述的电力供应系统,其中所述总线检测电路包括:比较器电路,其经配置以将所述总线电力供应与参考电压进行比较;其中所述放大器电路经配置以在所述总线电力供应超过所述参考电压的情况下产生第一控制信号,且在所述总线电力供应小于所述参考电压的情况下产生第二控制信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体(苏州)有限公司;飞兆半导体公司,未经快捷半导体(苏州)有限公司;飞兆半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210087634.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top