[发明专利]多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210081307.X 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN102627969A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 吴惠霞;刘丹丹;王亚培;曾波;杨仕平 申请(专利权)人: 上海师范大学
主分类号: C09K11/74 分类号: C09K11/74;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 吴瑾瑜
地址: 200234 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 多壁碳 纳米 agbis sub 半导体 粒子 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料,是在碳纳米管上包覆半导体纳米粒子,其特征在于,所述碳纳米管为多壁碳纳米管,所述半导体纳米粒子为三元硫属半导体纳米粒子AgBiS2

2.权利要求1所述多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)将多壁碳纳米管加入乙二醇与丙三醇的混合溶剂中,超声分散2h~2.5h,制备成1~2mg/mL的分散液;

2)将银盐和铋盐加入到与步骤1)中相同的混合溶剂中,超声分散10~30min,配制成银离子和铋离子均为3.3×10-3~5×10-3mol/L的混合溶液;

3)将硫代氨基脲加入到与步骤1)中相同的混合溶剂中,超声分散10~30min,配制成6.7×10-3~1.0×10-2mol/L的混合溶液;

4)将步骤2)所制备的混合溶液加入步骤1)所制备的分散液中,搅拌1~1.5h,然后加入步骤3)所制备的混合溶液,继续搅拌1~1.5h,其中,银离子、铋离子和硫代氨基脲的比例为1∶1∶2~2.5,多壁碳纳米管与银离子的用量比为100∶1~125∶1g/mol;

5)将步骤4)得到的溶液在密闭、180~220℃水热条件下反应3~12h,冷却,洗涤并干燥,即得多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米杂化材料。

3.权利要求2所述多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料的制备方法,其特征在于,所述多壁碳纳米管的管径为60~100nm,长度为5~15μm。

4.权利要求2所述多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料的制备方法,其特征在于,混合溶剂中的乙二醇可用二甘醇代替。

5.权利要求2、3或4所述多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料的制备方法,其特征在于,所述混合溶剂中乙二醇或二甘醇与丙三醇的体积比为0.7∶1~2∶1。

6.权利要求2、3或4所述多壁碳纳米管/AgBiS2半导体纳米粒子杂化材料的制备方法,其特征在于,所述银盐为AgNO3,所述铋盐为Bi(NO3)3·5H2O。

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