[发明专利]模板、模板的表面处理方法、模板的表面处理装置和图案形成方法无效

专利信息
申请号: 201210076341.8 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN102692817A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 小林正子;平林英明;河村嘉久;比嘉百夏 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 祁丽;于辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 模板 表面 处理 方法 装置 图案 形成
【权利要求书】:

1.包括具有凹凸图案的转写面的模板,所述模板被构造成在树脂的表面中形成反映所述凹凸图案的结构,所述树脂通过将处于在光固化性树脂液用光固化之前的状态下的光固化性树脂液充填入所述凹凸图案的凹部并使用光来固化所述光固化性树脂液而形成,所述模板包括:

包括具有凹凸的主表面的基材,所述基材对于用来固化所述光固化性树脂液的光是透过性的;和

覆盖所述基材的凹凸的表面层,所述表面层用于形成反映所述凹凸的结构的凹凸图案,

所述表面层与处于在光固化性树脂液用光固化之前的状态下的光固化性树脂液之间的接触角不大于30度。

2.如权利要求1所述的模板,其中所述表面层对所述树脂的粘附功小于80毫焦/平方米。

3.如权利要求1所述的模板,其中所述表面层包括通过化合物的缩合反应而将所述化合物结合到所述基材而形成的层,所述化合物由Rn-Si-X4-n代表,其中n是不小于1且不大于3的整数,X是官能团,R是有机官能团。

4.如权利要求3所述的模板,其中X是烷氧基、乙酰氧基或卤原子。

5.如权利要求1所述的模板,其中所述表面层包括通过将化合物结合到所述基材而形成的层,所述化合物由R3-Si-NH-Si-R′3代表,其中R′是有机官能团,R是有机官能团。

6.如权利要求1所述的模板,其中所述表面层包括通过将化合物结合到所述基材而形成的层,所述化合物由R3-Si-NR′2代表,其中R′是有机官能团,R是有机官能团。

7.如权利要求5所述的模板,其中R′是烷基。

8.如权利要求3所述的模板,其中R是CH3(CH2)k代表的烷基,其中k是不小于0的整数。

9.如权利要求3所述的模板,其中R是甲基。

10.模板的表面处理方法,所述模板包括具有凹凸图案的转写面,所述模板被构造成在树脂的表面中形成反映所述凹凸图案的结构,所述树脂通过将处于在光固化性树脂液用光固化之前的状态下的光固化性树脂液充填入所述凹凸图案的凹部并使用光来固化所述光固化性树脂液而形成,所述表面处理方法包括:

通过形成覆盖设于基材的主表面中的凹凸的表面层,形成反映所述凹凸的结构的凹凸图案,所述基材对于用来固化所述光固化性树脂液的光是透过性的,所述表面层与处于在光固化性树脂液用光固化之前的状态下的光固化性树脂液之间的接触角不大于30度。

11.如权利要求10所述的表面处理方法,其中形成表面层包括进行所述表面层的气相沉积。

12.如权利要求10所述的表面处理方法,其中所述表面层对所述树脂的粘附功小于80毫焦/平方米。

13.如权利要求10所述的表面处理方法,所述表面层包括通过化合物的缩合反应而将所述化合物结合到所述基材而形成的层,所述化合物由Rn-Si-X4-n代表,其中n是不小于1且不大于3的整数,X是官能团,R是有机官能团。

14.如权利要求13所述的表面处理方法,其中X是烷氧基、乙酰氧基或卤原子。

15.如权利要求10所述的表面处理方法,其中所述表面层包括通过将化合物结合到所述基材而形成的层,所述化合物由R3-Si-NH-Si-R′3代表,其中R′是有机官能团,R是有机官能团。

16.如权利要求10所述的表面处理方法,其中所述表面层包括通过将化合物结合到所述基材而形成的层,所述化合物由R3-Si-NR′2代表,其中R′是有机官能团,R是有机官能团。

17.如权利要求15所述的表面处理方法,其中R′是烷基。

18.如权利要求13所述的表面处理方法,其中R是甲基或CH3(CH2)k代表的烷基,其中k是不小于0的整数。

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