[发明专利]一种硅基微型侧喷口合成射流器及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201210076205.9 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN102601009A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 邓进军;王树山;马炳和;侯辉;苑伟政;姜澄宇 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: B05B17/04 分类号: B05B17/04;B05B1/02
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 吕湘连
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 微型 喷口 合成 射流 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种硅基微型侧喷口合成射流器,从上往下依次包括玻璃片9、硅基体10和驱动装置;硅基体10上的不贯穿孔形成腔体8;所述腔体8通过硅基体10侧壁上的喷口1与外界连通;硅基体10上腔体8的不贯穿部分形成悬置膜片2;驱动装置使得悬置膜片2产生振动;其特征在于:所述喷口1为非双锥形的侧喷口。

2.一种如权利要求1所述的硅基微型侧喷口合成射流器,其特征在于:所述喷口1的水平截面轮廓为矩形,同时所述喷口1的中心线垂直于腔体8侧壁。

3.一种如权利要求1所述的硅基微型侧喷口合成射流器,其特征在于:所述喷口1的水平截面轮廓为平行四边形,同时所述喷口1的中心线与腔体8侧壁夹角为45°。

4.一种如权利要求1所述的硅基微型侧喷口合成射流器,其特征在于:所述喷口1的水平截面轮廓为弧形,同时所述喷口1的中心线通过腔体8圆心。

5.一种如权利要求1所述的硅基微型侧喷口合成射流器,其特征在于:所述喷口1的水平截面轮廓为小端位于外壁的单锥形。

6.一种如权利要求1所述的硅基微型侧喷口合成射流器,其特征在于:所述喷口1的水平截面轮廓为小端位于外壁的弧形。

7.一种如权利要求1所述的硅基微型侧喷口合成射流器,其特征在于:所述喷口1的水平截面轮廓为轴对称双曲线。

8.一种如权利要求1~7所述之一的硅基微型侧喷口合成射流器,其特征在于:所述喷口1外端面x方向长度为0.5mm~3mm,y方向长度是100μm~200μm,z方向长度是100μm~180μm。

9.一种如权利要求1所述的硅基微型侧喷口合成射流器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1:采用低压化学气相沉积法在硅基体2上表面溅射一层金属膜;

步骤2:在金属膜上光刻形成掩膜;

步骤3:刻蚀金属膜;

步骤4:采用感应耦合等离子刻蚀形成侧喷口1、腔体8和悬置膜片2;

步骤5:在硅基体10上制作驱动装置11;

步骤6:玻璃片9与硅基体10进行粘合。

步骤7:划片。

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