[发明专利]熔丝侦测电路有效

专利信息
申请号: 201210072195.1 申请日: 2012-03-19
公开(公告)号: CN103323724A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 赖志菁 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 侦测 电路
【权利要求书】:

1.一种熔丝侦测电路,包括:

一预充电开关,其第一端接收一参考电源,并依据一预充信号以导通或断开;

一侦测开关,耦接于该预充电开关的第二端与一熔丝连接端间,该侦测开关受控于一侦测信号以导通或断开;

一第一缓冲器,其输入端接收一输出信号,其输出端耦接至该预充电开关与该侦测开关的耦接端点,该第一缓冲器依据该输出信号以在其输出端产生等于该参考电源或该熔丝连接端上的电压的一缓冲信号;

一第二缓冲器,耦接该第一缓冲器,接收并依据该缓冲信号产生等于该参考电源或一参考接地电压的该输出信号;以及

一熔丝,串接在该熔丝连接端与该参考接地电压间。

2.如权利要求1所述的熔丝侦测电路,其中还包括:

一输出缓冲器,耦接该第二缓冲器,接收该输出信号,并依据该输出信号以产生等于该参考电源或该熔丝连接端上的电压的一缓冲输出信号。

3.如权利要求2所述的熔丝侦测电路,其中该输出缓冲器为一反向器。

4.如权利要求2所述的熔丝侦测电路,其中该输出缓冲器包括:

一第一晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端接收该参考电源,其控制端接收该输出信号,其第二端产生该缓冲输出信号;以及

一第二晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接该第一晶体管的第二端,该第二晶体管的控制端接收该输出信号,该第二晶体管的第二端耦接该熔丝连接端。

5.如权利要求4所述的熔丝侦测电路,其中该第一晶体管为P型晶体管,该第二晶体管为N型晶体管。

6.如权利要求1所述的熔丝侦测电路,其中该第一缓冲器包括:

一第一晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端接收该参考电源,其控制端接收该输出信号,其第二端耦接至该预充电开关与该侦测开关的耦接端点;以及

一第二晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接至该第一晶体管的第二端,该第二晶体管的控制端接收该输出信号,该第二晶体管的第二端耦接至该熔丝连接端。

7.如权利要求6所述的熔丝侦测电路,其中该第一晶体管为P型晶体管,该第二晶体管为N型晶体管。

8.如权利要求6所述的熔丝侦测电路,其中该第一缓冲器还包括:

一第三晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接在该第二晶体管耦接该熔丝连接端的路径间,该第三晶体管的第二端耦接该熔丝连接端,该第三晶体管的控制端接收该预充信号。

9.如权利要求8所述的熔丝侦测电路,其中该第三晶体管的导通或断开的状态与该预充电开关的导通或断开的状态相反。

10.如权利要求1所述的熔丝侦测电路,其中该第二缓冲器包括:

一第一晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端接收该参考电源,其控制端接收该缓冲信号,其第二端产生该输出信号;以及

一第二晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接至该第一晶体管的第二端,该第二晶体管的控制端接收该缓冲信号,该第二晶体管的第二端耦接至该参考接地电压。

11.如权利要求10所述的熔丝侦测电路,其中该第一晶体管为P型晶体管,该第二晶体管为N型晶体管。

12.如权利要求1所述的熔丝侦测电路,其中该预充电开关为一P型晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端接收该参考电源,其控制端接收该预充信号,其第二端耦接该侦测开关。

13.如权利要求1所述的熔丝侦测电路,其中该侦测开关为一N型晶体管,具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接该预充电开关,其控制端接收该侦测信号,其第二端耦接该熔丝连接端。

14.如权利要求1所述的熔丝侦测电路,其中该第一及该第二缓冲器皆为反向器。

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