[发明专利]一种低反射率单晶硅制绒添加剂

权利要求书

1.一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于它的配方组份为：三聚磷酸钠、丁基萘磺酸钠和去离子水。

2.根据权利要求1所述的一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于所述的三聚磷酸钠浓度在5wt％-10wt％之间，所述的丁基萘磺酸钠浓度在1wt％-5wt％之间。

3.根据权利要求1所述的一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时，单晶硅片的表面反射率在400nm-1100nm的波长范围内的平均值可以由目前的10％左右下降到8％以下。

4.根据权利要求1所述的一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时，可以获得均匀、细小、密集的绒面金字塔，金字塔尺寸在1-3μm之间。

5.根据权利要求1所述的一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时，需要将其加入到硅片的腐蚀液中，其所占腐蚀液的体积比例为0.1v/v％-5.0v/v％之间。

6.根据权利要求5所述的一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于硅片的表面反射率与加入到腐蚀液中的添加剂的量有关系，加入的量越大，表面反射率越低。

7.根据权利要求5所述的一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时，硅片的腐蚀液为氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液，而且氢氧化钠(钾)的浓度在0.5wt％-3.0wt％之间。

8.根据权利要求5所述的一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于其应用于单晶硅片的绒面制作时，腐蚀液的温度在70℃-85℃之间，硅片的腐蚀时间在15-30分钟之间。

9.根据权利要求1所述的一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于其应用于大批量单晶硅片的绒面制作时，每批制绒后，需要适量补充。

10.根据权利要求1所述的一种低反射率单晶硅制绒添加剂，其特征在于其应用于大批量单晶硅片的绒面制作时，每批制绒后，需要往腐蚀液中适量补充氢氧化钠或氢氧化钾。