[发明专利]控制在源与负载之间的电流

权利要求书

1.一种用于控制在能量源与负载之间的电流的方法，所述方法包括：

提供在所述能量源与所述负载之间耦合的切换模块，所述切换模块包括耦合到所述能量源的两个输入端子和耦合到所述负载的两个输出端子以及在所述输入端子之一与所述输出端子之一之间耦合的半导体切换元件；

测量在所述能量源与所述负载之间的所述电流的至少一个电流参数；并且

当所述至少一个电流参数达到或者超过至少一个预定参数阈值时，通过关断所述半导体切换元件来中断在所述能量源与所述负载之间的所述电流。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述切换模块还包括：

续流元件，连接于所述两个输出端子之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述切换模块还包括：

电流测量单元，配置成测量在所述能量源与所述负载之间的所述至少一个电流参数。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述切换模块还包括：

控制单元，配置成基于所述电流测量单元测量的所述至少一个电流参数来控制所述半导体切换元件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述切换模块还包括：

至少一个电感，耦合到所述切换模块的至少一个输出端子。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体切换元件包括至少一个晶体管，所述至少一个晶体管具有负载路径和控制端子，所述负载路径包括至少两个负载端子，并且其中所述至少一个晶体管的所述负载路径连接于所述切换模块的一个输入端子与一个输出端子之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述半导体切换元件包括第一晶体管和第二晶体管，第一和第二晶体管的负载路径串联连接，并且其中所述第一晶体管的控制端子和所述第二晶体管的控制端子由所述控制端子控制。

8.根据权利要求7所述的方法，其中第一和第二晶体管为MOS型晶体管，每个所述晶体管的所述负载路径包括漏极端子和源极端子。

9.根据权利要求7所述的方法，其中第一和第二晶体管具有相同导通类型，并且其中所述第一晶体管的所述源极端子耦合到所述第二晶体管的所述源极端子，或者其中所述第一晶体管的所述漏极端子耦合到所述第二晶体管的所述漏极端子。

10.根据权利要求7所述的方法，其中第一和第二晶体管具有互补导通类型，其中所述第一晶体管的所述源极端子耦合到所述第二晶体管的所述漏极端子，或者其中所述第一晶体管的所述漏极端子耦合到所述第二晶体管的所述源极端子。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

提供至少一个继电器，所述继电器连接于所述切换模块的输入端子与输出端子之间。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个电流参数是经过所述切换模块的所述电流的绝对值或者斜率。

13.一种用于接通在能量源与负载之间的电流的方法，所述方法包括：

提供在所述能量源与所述负载之间耦合的切换模块，所述切换模块包括耦合到所述能量源的两个输入端子和耦合到所述负载的两个输出端子以及在所述输入端子之一与所述输出端子之一之间耦合的至少一个半导体切换元件；

在第一切换模式中操作所述切换模块，在所述第一切换模式中所述至少一个半导体切换元件以脉冲方式在接通时段中接通而在关断时段中关断；并且

随后在第二切换模式中操作所述切换模块，在所述第二切换模式中所述至少一个半导体切换元件接通，使得它的接通时段的持续时间是在所述第一切换模式期间的所述接通时段的持续时间的至少十倍。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一切换模式具有固定时间段。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括：

评估至少一个电参数并且根据所述至少一个电参数让所述切换模块进入所述第二切换模式。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述至少一个电参数包括经过所述切换模块的电流的斜率。