[发明专利]一种陶瓷基板表面金属化的方法及一种大功率LED底座

权利要求书

1.一种陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备陶瓷基板，所述陶瓷基板的成分包括：陶瓷主体、功能助剂和烧结助剂，所述功能助剂为选自A的氧化物中的两种或多种组成的玻璃态粉末，A为铝、镁、硅、钡、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铌、钼、锝、钌、铑、钯、银、镉、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、铟、锡、锑、铅或铋；

S2：采用能量束辐射陶瓷基板表面的选定区域，在选定区域形成化学镀活性中心；

S3：对经过步骤S2的陶瓷基板表面进行化学镀，在选定区域形成金属层。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于，A为Ti、Cu、Ca、Co、Fe、Mg或Si。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于，所述功能助剂为TiO₂/CuO、CaO/CoO、Fe₂O₃/FeO/MgO或FeO/SiO₂/Fe₂O₃的玻璃态粉末。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于，所述烧结助剂为Y₂O₃和MgO以质量比3:1混合后的混合物。

5.根据权利要求1所述的陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于，所述陶瓷基板的成分中陶瓷主体占95-99.5wt%，功能助剂占0.005-3wt%，烧结助剂占2~5wt%。

6.根据权利要求1所述的陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于，所述陶瓷基板的成分为95-96wt%的Al₂O₃，0.3-0.6wt%的功能助剂，以及3-4wt%的烧结助剂。

7.根据权利要求1所述的陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于，所述陶瓷基板的成分为95-96wt%的 AlN，0.005-0.6wt%的功能助剂，以及3-4wt%的烧结助剂。

8.根据权利要求1所述的陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于，在用能量束对陶瓷基板进行辐射之前还包括对陶瓷基板的粗化处理。

9.根据权利要求1所述的陶瓷基板表面金属化的方法，其特征在于，所述能量束为激光、电子束或离子束；激光能量束的功率密度为10¹-10⁹W/cm²；电子束辐射的功率密度为10¹-10¹¹W/cm²；离子束辐射的离子束能量为10¹-10⁶eV。

10.一种大功率LED底座，包括陶瓷基板以及通过能量束直接对所述陶瓷基板表面活化后再进行化学镀制得的导线层和焊接金属层，所述导线层和焊接金属层分别位于所述陶瓷基板的上下表面，其特征在于，所述陶瓷基板的成分包括陶瓷主体、功能助剂和烧结助剂；所述功能助剂为选自A的氧化物中的两种或多种组成的玻璃态粉末，A为铝、镁、硅、钡、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、铌、钼、锝、钌、铑、钯、银、镉、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金、铟、锡、锑、铅或铋。

11.根据权利要求10所述的大功率LED底座，其特征在于，所述大功率LED底座还包括位于焊接金属层下方的热沉底座，所述焊接金属层与热沉底座之间的连接方式为焊接。

12.根据权利要求10所述的大功率LED底座，其特征在于，所述所述烧结助剂为Y₂O₃和MgO以质量比3:1混合后的混合物。

13.根据权利要求10所述的大功率LED底座，其特征在于，所述陶瓷基板的成分中陶瓷主体占95-99.5wt%，功能助剂占0.005-3wt%，烧结助剂占2~5wt%。

14.根据权利要求10所述的大功率LED底座，其特征在于，所述陶瓷基板的成分为95-96wt% 的Al₂O₃，0.3-0.6wt%的功能助剂，以及3-4wt%的烧结助剂。

15.根据权利要求10所述的大功率LED底座，其特征在于，所述陶瓷基板的成分为95-96wt%的 AlN，0.005-0.6wt%的功能助剂，以及3-4wt%的烧结助剂。