[发明专利]光刻装置和补偿中间掩模版引入的CDU的器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和制造器件的方法。

背景技术

光刻装置是一种把所需的图案施加到基底或部分基底上的机器。光刻装置例如可以用在平板显示器、集成电路(IC)和其它包含精细结构的器件的制造中。在常规的装置中，可以用一种被称作掩模或中间掩模版的构图部件来产生一种对应于平板显示器(或其它器件)的一个单独层的电路图案。该图案可以通过成像到设置在基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而被转印到整个或部分基底上(例如，玻璃板)。

代替电路图案，可以用构图部件产生其它的图案，如彩色滤光片图案或点阵。代替掩模，构图部件可以包括一种构图阵列，该阵列包括单独可控元件的一个阵列。与基于掩模的系统相比，该系统中图案可以更快且低成本地改变。

平板显示器基底典型的形状为矩形。设计成曝光此类基底的光刻装置可以提供一个覆盖该矩形基底整个宽度的或是覆盖部分宽度(例如一半宽度)的曝光区。基底可以在曝光区内被扫描，同时掩模或中间掩模版也被光束同步扫描。通过这种方式，图案被转印到基底。如果曝光区覆盖基底的整个宽度，则可以用单次扫描完成曝光。如果曝光区覆盖例如基底的一半宽度，则可以在第一次扫描之后横向移动基底，并典型地执行再次扫描以曝光基底的其余部分。

目前，光刻工艺尤其用于形成具有非常小的图案特征的器件，如集成电路器件。对减小图案特征的尺寸一直存在着需求。对于特定的工艺，可形成的图案特征尺寸的限制部分地由所使用的辐射波长决定。对于给定的波长和光刻装置，不可能形成给定尺寸以下的图案特征。但由于需要形成具有尽可能小的图案特征的器件，通常运行尽可能接近限度的光刻系统。当操作一项接近分辨率极限的光刻工艺时，衍射效应可能导致寄生假像出现在投影到基底上的辐射图案中，例如曝光到基底上的辐射图案上显现的寄生特征，但它们不是希望形成在基底上的那一部分图案。

常规的装置模拟寄生效应并改进由构图部件设置的图案，使得一旦考虑寄生效应，曝光在基底上的实际辐射图案就尽可能地接近实际所需的图案。除了改变构图部件提供的图案外，光刻装置的其他工作设置对寄生图案特征的产生也有影响。在试图建立寄生效应模型时其他的常规装置考虑到这些设置，以预测构图部件的最佳设计以及光刻装置的最佳工作设置以在基底上曝光所需的辐射图案。

但是，预测寄生效应的模拟技术是不精确的。因此，一般需要使用这种模拟技术预测构图部件的图案，利用预测的图案曝光基底，处理基底，检查形成在基底上的所得图案，以便确定与理想的图案有多少不同，然后再利用这些信息改进对寄生效应的模拟，以提供构图部件的修订图案。此工艺可能需要重复几次，直到提供了关于构图部件的令人满意的图案。这个工艺很耗时且昂贵，尤其如果把中间掩模版用作构图部件更是如此，因为制造中间掩模版很昂贵，并且对于构图部件的图案的每次修订都必需制造新的中间掩模版。

因此，我们需要一种工序不耗时、不昂贵的能确保在基底上曝光理想的辐射图案的系统和方法。

发明内容

在本发明的一个实施例中，提供了一种光刻装置，包括照明系统，构图部件，投影系统和辐射检查装置。照明系统调节辐射束。构图部件调节辐射束的截面。投影系统把调节的辐射束投影到基底的靶部上。辐射束检查装置检查至少一部分调节的辐射束。该光刻装置以基底曝光结构和辐射束检查结构的状态操作。以基底曝光结构操作时，光刻装置构造成使得调制的辐射束在基底上曝光辐射图案。以辐射束检查结构操作时，辐射束检查装置检查如果光刻装置处于基底曝光结构时将要形成在基底上的辐射图案。

在本发明的另一实施例中，提供了一种为了利用光刻装置在基底上形成器件而优化光刻装置的操作的方法，包括下列步骤：利用构图部件调制辐射束；把调制的辐射束投影到辐射束检查装置上，检查至少一部分调制的辐射束，以确定如果把调制的辐射束投影到基底时将被曝光在基底上的相应图案。至少确定一个使将在基底上曝光的所需图案与辐射束检查装置确定的图案之间的差异最小化所必需的光刻装置的操作改进。

下面将参考附图详细描述本发明的其他实施例、特征和优点，以及本发明各种实施例的构造和操作。

附图说明

文中结合的并构成说明书一部分的附图阐明了本发明的一个或多个实施例，并与文字部分一起进一步解释了本发明的原理，使得本领域的技术人员能够实施利用本发明。

图1和2表示根据本发明各个实施例的光刻装置；

图3表示利用图2所示本发明实施例的把图案转印到基底的模式；

图4表示根据本发明一个实施例的光学设备的配置；