[发明专利]用于超高密度探针存储的多层相变薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种用于超高密度探针存储的多层相变薄膜，其特征是：该多层纳米薄膜的顶层是保护层（5）、底层是电极层（3）、中间层是相变层（2）；电极层（3）是厚度为10-15nm、铜和钨重量比为15:85的铜钨合金薄膜，相变层（2）是厚度为25-45nm的碲基合金薄膜，保护层（5）是厚度为8-12nm的类金刚石膜。

2.一种如权利要求1所述多层相变薄膜的制备方法，其特征是包括如下步骤：

1）采用直流-射频磁控溅射一体化设备制备电极层（3）和相变层（2），该设备具有一个密封的真空室（15），在真空室（15）内安装加热电阻（13），真空室（15）内的下部是基座（10），基座（10）上表面上是电极层靶材（9）和相变层靶材（13），基座（10）正上方是转盘（8），将基片（4）安装在转盘（8）上，转盘（8）上部通过上溅镀枪（7）与DC电源（6）相连，基座（10）下部通过下溅镀枪（11）与RF电源（12）相连；

2）旋转转盘（8）使基片（4）位于电极层靶材（9）正上方，电极层靶材（9）采用纯度为99.95%的钨靶，钨靶上按重量比放置纯度为99.99%的铜片；对真空室（15）抽真空并通入氩气，启动DC电源（6）和RF电源（12）开始溅射，溅射完成后再抽真空并打开加热电阻（14）加热，在350℃温度下原位退火，自然冷却到室温得到溅射有电极层（3）的基片（4）；

3）将溅射有电极层（3）的基片（4）旋转到碲基合金相变层靶材（13）正上方，对真空室（15）抽真空并通入氩气，启动DC电源（6）和RF电源（12）开始溅射，溅射完成后再抽真空并打开加热电阻（14）加热，在280℃温度下原位退火，自然冷却到室温得到溅射有电极层（3）和相变层（2）的基片（4）；

4）将溅射有电极层（3）和相变层（2）的基片（4）从直流-射频磁控溅射一体化设备中取出放入等离子体增强化学气相沉积室中，抽真空并通入氩气，通入流量分别为60sccm和20sccm的甲烷和硼烷，打开射频电源进行气相沉积制备类金刚石膜，类金刚石膜生长完成后取出，放入到180℃退火炉中退火即可。