[发明专利]一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线有效
| 申请号： | 201210058986.9 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102856628A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 孙维国;陈洪许;王铮;鲁正雄;杨晖;张文涛;张亮;梁晓靖;朱旭波 | 申请（专利权）人： | 中国空空导弹研究院 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 |
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| 地址： | 471009 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 红外 双模 复合 探测 用共形 天线 | ||
1. 一种毫米波/红外双模复合探测用共形天线，其特征在于，它是由透红外辐射的窗口基体、化合物半导体薄膜贴片、绝缘介质基片、化合物半导体薄膜接地片及与化合物半导体薄膜贴片良好欧姆接触的馈线组成，所述化合物半导体薄膜贴片间隔设置在窗口基体的内表面上，相应的馈线位于窗口基体的内表面上；窗口基体的内表面及化合物半导体薄膜贴片和馈线由所述绝缘介质基片包覆，所述化合物半导体薄膜接地片覆设在绝缘介质基片上远离窗口基体一侧的表面上。
2. 根据权利要求1所述的毫米波/红外双模复合探测用共形天线，其特征在于，所述的化合物半导体薄膜贴片和化合物半导体薄膜接地片的材料选自透红外辐射的半导体材料。
3. 根据权利要求2所述的毫米波/红外双模复合探测用共形天线，其特征在于，所述透红外辐射的半导体材料为HgMnTe、ZnO、ITO或者InSb。
4. 根据权利要求1所述的毫米波/红外双模复合探测用共形天线，其特征在于，所述的窗口基体为球形窗口或者非球面窗口。
5. 根据权利要求1所述的毫米波/红外双模复合探测用共形天线，其特征在于，所述的窗口基体材料选取在3～5微米波段具有良好透过率的蓝宝石、氟化镁、尖晶石、ALON或在8～12微米波段具有良好透过率的ZnS。
6. 根据权利要求1所述的毫米波/红外双模复合探测用共形天线，其特征在于，所述的绝缘介质基片材料优选为SiO2。
7.根据权利要求1所述的毫米波/红外双模复合探测用共形天线，其特征在于，所述化合物半导体薄膜贴片和化合物半导体薄膜接地片的厚度为5-12μm。
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