[发明专利]快速的山核桃容器育苗基质与方法无效
| 申请号: | 201210056170.2 | 申请日: | 2012-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN102584465A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | 王正加;夏国华;黄坚钦;张斌;程慧;章善光 | 申请(专利权)人: | 浙江农林大学 |
| 主分类号: | C05G3/00 | 分类号: | C05G3/00;A01G17/00 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 周烽 |
| 地址: | 311300 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 快速 山核桃 容器 育苗 基质 方法 | ||
技术领域
本发明涉及林果树育苗基质和方法,特别是涉及一种山核桃速生的容器育苗基质及方法。
背景技术
山核桃(Carya cathayensis Sarg.),属胡桃科山核桃属植物。它适宜在石灰岩山地生长,集中产于浙江安吉、临安、淳安及安徽宁国、绩溪等地,是我国特有的珍贵干果和木本油料树种,也是一种优良的生态经济树种。随着人们生活水平的提高,山核桃成为理想的高级蛋白质果品,在营养价值、保健、美容及药用作用方面具有更独特的优点,因此越来越受到人们的青睐,产品供不应求。山核桃童期长,前期生长缓慢,山地造林缓苗期长、造林存活率低等一直是影响山核桃发展的主要因子。
山核桃繁殖一直以播种繁殖为主,随着嫁接技术的突破,山核桃的造林提早结果得以实现。目前普遍采用的山核桃大田育苗存在着生长慢、出圃时间迟,裸根苗造林成活率低、缓苗期长等问题,通过容器育苗技术,可以加快其出圃时间,提高存活率,也使苗木更加整齐健壮,从而实现提前投产。有关山核桃容器育苗的研究报道甚少,经检索《安徽林业科技》2008年第1、2期曾刊登有李仁远等先生的“山核桃容器育苗截根培育壮苗技术” 一文,采用2种方案的基质配比:①50%稻田土+30%黄心土+20%草皮炼土,外加3%钙镁磷肥。配方②50%有机质(如废弃香菇棒)+50%黄心土,外加3%钙镁磷肥,其基质较重,搬移和带土移栽不便。该壮苗技术的重点在于前后三次截根,从采种至出圃头尾跨越三个年头(约27个月),培育期过长。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种快速的山核桃容器育苗基质及方法。
解决上述技术问题采用如下技术方案:
本山核桃容器育苗基质,由下列原料及其重量份混配而成:34-44份泥炭、25-35份珍珠岩、25-35份田园土和1份钙镁磷肥。
本山核桃容器育苗基质,各原料混配的优选方案是:39份泥炭、30份珍珠岩、30份田园土和1份钙镁磷肥。
本快速的山核桃容器育苗方法,按如下步骤进行:
(1)容器育苗基质的配制:34-44份泥炭、25-35份珍珠岩、25-35份田园土和1份钙镁磷肥混合均匀即成;
(2)中的采集与预处理:九月中旬采集山核桃成熟果实,堆放脱去外果皮后用0.2%(质量)NaCl水溶液清洗、阴干,喷质量比为百囷清∶多菌灵=1∶1的800倍水稀释液进行表面喷洒消毒;
(3)种子增温催芽:将种子铺在有25-30℃地热的苗床上并用薄膜覆盖进行增温催芽,或用恒温箱温控25-30℃中增温催芽;
(4)种子上盆:将经催芽露白的种子,在装有按步骤(1)配制成的基质的营养钵中,每盆即每钵播种一粒种子,用同一基质覆盖种子至其直径2倍的厚度,营养钵放置大棚内,小苗逐渐长出;
(5)保温越冬:小苗在5-10℃中保温越冬,放置落叶,促其缓慢地继续生长;
(6)苗木施追肥:次年的3-5月每半个月用含N量为60%的尿素施0.5%(质量)的尿素水溶液一次;
(7)嫁接:6月份开始逐苗进行切枝接;
(8)出圃:当年12月出圃,移植大田栽培。
本发明的有益效果是从采种至出圃只需16个月,培育成生长健壮的嫁接苗。克服了现有技术山核桃育苗苗木生长慢、出圃时间长,基质质量重,带土上山移栽不便等缺陷。缩短了育苗周期,既增加向社会供应苗木的批次,又提高了恒温箱、苗床与大棚的利用率,使苗木生产单位的经济效益显著增加。
具体实施方式
本发明下面结合实施例作进一步评述:
实施例:
(1)先用39重量份泥炭、30重量份珍珠岩、30重量份田园土和1重量份钙镁磷肥混合拌匀,配制成基质。
(2)种子的采集与预处理:九月中旬采集山核桃成熟果实,堆放脱去外果皮后用0.2%(质量)NaCl水溶液清洗、阴干,喷质量比为百菌清∶多菌灵=1∶1的800倍水稀释液进行表面喷洒消毒。
(3)种子增温催芽:将种子铺在有25-30℃地热的苗床上并用薄膜覆盖进行增温催芽,或用恒温箱温控25-30℃中增温催芽。
(4)种子上盆:将经催芽露白的种子,在装有按步骤(1)配制成的基质的营养钵中,每盆即每钵播种一粒种子,用同一基质覆盖种子至其直径2倍的厚度,营养钵放置大棚内,小苗逐渐长出。
(5)保温越冬:小苗在5-10℃总保温越冬,放置落叶,促其缓慢地继续生长。
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