[发明专利]一种电子设备抗雷击浪涌试验的保护电路无效
申请号: | 201210053228.8 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN102611091A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 丁心志;毕志周;王恩;翟少磊;唐标 | 申请(专利权)人: | 云南电力试验研究院(集团)有限公司电力研究院 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H02H9/02 |
代理公司: | 昆明大百科专利事务所 53106 | 代理人: | 何健 |
地址: | 650217 云南省昆明*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子设备 雷击 浪涌 试验 保护 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种电子设备抗雷击浪涌试验的保护电路。
背景技术
随着电网公司的发展,电力设备运行的环境越来越复杂,电磁环境也日粗恶劣,电子设备运行在大电压、大电流的条件下,同时芯片运行速度越来越快,集成度越来越高,由最初的小型集成电路发展成现在的超高速超大规模集成电路,芯片的抗过压能力下降,抗雷击浪涌能力也随着下降。
发明内容
本发明的目的是电子设备为克服雷击浪涌抗扰度试验过程中出现的问题,提供一种简单易行的保护电路,并能够显著研发电子设备的成本,提高研发速度等。
一般在设备的电源输入口都会涉及由浪涌抑制器件组成的保护电路,其基本思想为:在线路上设置一级(或)多级电压限幅环节,泄放浪涌电流,从而达到防护的目的。
本发明根据压敏电阻、瞬变抑制二极管从响应时间和极间电容考虑,采用的技术方案如下。一种电子设备抗雷击浪涌试验的保护电路,包括压敏电阻R1-R3,电感线圈L1、L2、电容C1、瞬变抑制二极管TVS1、TVS2、TVS3;其中:电源输入L端接电阻R1、电阻R2串联后回路的一端,接电阻R3的一端,然后连接电感线圈L1的一端,电感线圈L1的另一端接电容C1的一端,接瞬变抑制二极管TVS2、瞬变抑制二极管TVS3串联后回路的一端,接瞬变抑制二极管TVS1的一端,电源输入N端接电阻R1、电阻R2串联后回路的另一端,接电阻R3的另一端,然后连接电感线圈L2的一端,电感线圈L2的另一端接电容C1的另一端,接瞬变抑制二极管TVS2、瞬变抑制二极管TVS3串联后回路的另一端,接瞬变抑制二极管TVS1的另一端,最后进入电子设备的电源输入端,其中电阻R1、R2的连接端接大地,瞬变抑制二极管TVS2、瞬变抑制二极管TVS3的连接端接大地。电感线圈L1、L2为共模电感线圈,共同套在一个铁氧体磁环上。压敏电阻标称压敏电压值为电子设备输入电源电压值的2-3倍,高于瞬变抑制二极管箝位电压。瞬变抑制二极管箝位电压为电子设备输入电源电压值的1.5-2倍。
本发明的有益效果为:
1、不改变电子设备主电路的框架或结构;
2、快速提高电子设备的研发速度,尽可能快地使设备通过雷击浪涌抗扰度速度;
3、显著提高电子设备的抗浪涌干扰能力;
4、简便、可行,降低电子设备的研发成本,具有较好的性价比和推广价值。
以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本发明。
附图说明
图1为本发明使用在一种电子设备抗雷击浪涌试验的保护电路。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。
本发明采用3级防护进行保护电子设备,第一级为压敏电阻,第二级为共模线圈和电容,第三级为瞬变抑制二极管,在实际应用过程中第二级也可以添加差模线圈和电容,但目前困扰电子设备没有通过雷击浪涌试验主要为共模耦合,差模耦合现在基本电子设备都能解决,因而本发明第二级没有添加差模耦合器,当浪涌信号进入电子设备时,首先利用压敏电阻进行保护,然后利用共模耦合器对波头电压产生一定的延迟,电容C1对电源电压起平滑作用,使瞬变抑制二极管把电压箝至在一定的范围内,从而更好地保护电子设备,具体保护电路如图1所示。
电子设备抗雷击浪涌试验时,残余电压是设计保护电路的一个重要考虑因素,在多级保护电路思想的指导下,结合共模滤波器的延时特性,设计一种简单实用的保护电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南电力试验研究院(集团)有限公司电力研究院,未经云南电力试验研究院(集团)有限公司电力研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210053228.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。