[发明专利]放大器电路和方法无效
| 申请号： | 201210052707.8 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102684619A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 苏尼尔·卡桑尼伊尔 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 放大器 电路 方法 | ||
1.一种差分放大器电路，包括：
差分预放大级(100)，该差分预放大级(100)被设计为允许具有第一共模电压范围的输入信号，并被设计为产生具有较窄共模电压变化的输出；
主差分放大级(300)，该主差分放大级(300)被设计为允许具有比第一共模电压范围小的第二共模电压范围的输入信号，其中预放大级的输出具有比第二共模电压范围小的共模电压变化。
2.根据权利要求1所述的电路，其中差分预放大级产生差分电流输出并包括差分电流至差分电压转换电路(MP4，MP5，R10，R11)。
3.根据权利要求1或2所述的电路，其中预放大级包括位于高压干线和灌电流源(IS12)之间的两条支路，每条支路包括串联的连接至高压干线(Vddio)的上电流源(IS10，IS11)和连接至灌电流源(IS12)的NMOS输入晶体管(MN1，MN2)。
4.根据权利要求3所述的电路，其中每个上电流源(IS10，IS11)包括PMOS晶体管。
5.根据权利要求4所述的电路，其中灌电流源(IS12)包括NMOS晶体管。
6.根据前述权利要求中任一项所述的电路，还包括偏置电流产生电路(200)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中主放大级包括位于源电流源(IS13)和接地之间的两条支路，所述源电流源连接至高压干线(Vddio)，每条支路包括串联的连接至所述源电流源的主放大级输入晶体管(MP6，MP7)和连接至所述接地的电阻器。
8.根据权利要求6或7所述的电路，其中偏置电流产生电路(200)用来产生用于控制源电流源(IS13)的控制信号。
9.根据权利要求7或8所述的电路，其中源电流源(IS13)包括PMOS晶体管。
10.根据权利要求9所述的电路，其中每个主放大级输入晶体管(MP6，MP7)包括PMOS晶体管。
11.根据前述权利要求中任一项所述的电路，还包括第二主放大级(APM2)。
12.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中预放大级(100)由第一电压范围供电，并且电路输出适于位于较小的第二电压范围内。
13.根据权利要求11或12所述的电路，其中第二主放大级(APM2)由第二电压范围供电，并且第一电压范围和第二电压范围一起包括双电压集成电路的一对双电源电压。
14.一种放大差分输入信号的方法，包括：
对具有第一容许共模电压范围的输入信号进行差分预放大(100)，以产生具有较窄共模电压变化的输出；
对具有比第一共模电压范围小的第二容许共模电压范围的输入信号进行主差分放大(300)，其中预放大的输出具有比第二容许共模电压范围小的共模电压变化。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述差分预放大步骤产生差分电流输出并包括差分电流至差分电压转换。
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