[发明专利]电平转移电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路，尤其是一种可采用小型器件并且与工艺变化无关的电平转移电路。

背景技术

电平转移电路是一种对不同电平的电路进行信号振幅转换的电路，常用于低电源电压电路输出的控制信号和高电源电压电路之间的通信。

目前普遍使用的电平转移电路，在输入信号电平变化的过程中，极易产生贯穿电流，在有多个相同结构的电平转换电路的情况下，将导致电路耗电量的增加。如图1所示是一种现有的电平转移电路的电路图，其结构如下：以电源VDD的电势为高电平，以源极电源VSS的电势为低电平，由输出通道OUT1和输出通道OUT2之间输出输入引脚IN在该高电平和低电平之间变化的信号，同时，向P型晶体管P2的栅极输入由输入引脚IN输入到P型晶体管P1的栅极的反向信号。P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极；P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N2的栅极，N型晶体管N2的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N1的栅极，N型晶体管N1的源极连接源极电源VSS。

当输入引脚IN的电平从低电平变为高电平时，P型晶体管P1和N型晶体管N1以及P型晶体管P2和N型晶体管N2在一瞬态期间将同时导通，在电源VDD的高电势和源极电源VSS的低电势之间产生贯穿电流，增加了瞬态电流，同时降低了电路的转换速度。

发明内容

本发明实际所要解决的技术问题是如何提供一种可采用小型器件并且与工艺变化无关的电平转移电路。本发明所述的电平转移电路中，支路电流产生电路提供的支路释放电流可以改善电路速度。

为了实现本发明的上述目的，本发明提供了一种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，所述P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD，P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV，P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，所述P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极和N1的栅极，且N型晶体管N1的栅极连接所述N型晶体管N4的栅极，N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极，N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极和N2的栅极，且N型晶体管N2的栅极连接所述N型晶体管N3的栅极，N型晶体管N2的源极连接N型晶体管N4的漏极，N型晶体管N4的源极连接源极电源VSS。

本发明所述的电平转移电路，不但可采用小型器件并且与工艺变化无关，而且可以改善电路速度；再者，本发明采用对称的结构布图，因此布图的速度将更快、更容易；而且设计者能够交替绘图，且不需要技术变化。

附图说明

图1是根据本发明的一种实施例；

图2是根据本发明的另一种实施例。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

请参考图1所示的第一种电平转移电路，包括P型晶体管P1和P型晶体管P2，P型晶体管P1的源极和P型晶体管P2的源极分别连接电源VDD，P型晶体管P1的栅极连接输入引脚IN，P型晶体管P1和P型晶体管P2的栅极之间设有反相器INV；P型晶体管P1的漏极为输出通道OUT1，P型晶体管P1的漏极连接N型晶体管N1的漏极和N1的栅极，且N型晶体管N1的栅极连接所述N型晶体管N4的栅极，N型晶体管N1的源极连接N型晶体管N3的漏极，N型晶体管N3的源极连接源极电源VSS；P型晶体管P2的漏极为输出通道OUT2，P型晶体管P2的漏极连接N型晶体管N2的漏极和N2的栅极，且N型晶体管N2的栅极连接所述N型晶体管N3的栅极，N型晶体管N2的源极连接N型晶体管N4的漏极，N型晶体管N4的源极连接源极电源VSS。

本实施例的工作原理为：

    静态时，如果输入引脚IN为高电平（VDD），P型晶体管P1截止，输入信号通过反相器INV产生互补信号打开P型晶体管P2。而P型晶体管P2的源极连接电源VDD，则节点W2输出高电平，节点W1输出低电平。