[发明专利]基于钴铁氧体纳米薄膜的电阻开关及制备方法

权利要求书

1.一种基于钴铁氧体纳米薄膜的电阻开关，其特征是利用反应溅射金属Fe靶和Co靶的方法制备CoFe₂O₄薄膜；并把CoFe₂O₄薄膜生长在镀有金属Pt的Si基底上，在CoFe₂O₄薄膜上表面涂银导电胶，构成Ag/CoFe₂O₄/Pt三明治结构；测量Ag/CoFe₂O₄/Pt三明治结构电阻开关效应。

2.如权利要求1所述的基于钴铁氧体纳米薄膜的电阻开关的制备方法，其特征是具体步骤如下：

(1)采用三靶磁控溅射装置，在两个直流溅射靶头上分别安装金属纯度为99.99％的Fe靶和纯度为99.99％的Co靶，溅射装置三靶都向上方正中心的样品位置倾斜，与水平面的夹角约60度；

(2)将Si片固定在样品架，并放入溅射室中样品架位置；

(3)开启溅射设备，先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空，并通过烘烤手段加速抽真空速度，直至溅射室的背底真空度优于1×10-5Pa；

(4)开启基底加热温控电源，将基底加热至面板显示温度650℃，稳定30分钟；

(5)同时打开流量计和溅射电源进行预热20分钟后，向真空室通入纯度为99.999％的溅射气体Ar和O₂，其中Ar为100sccm，氧气为1.8-8.0sccm，通过调节超高真空闸板阀的开启程度，将溅射室的气压控制在2.0Pa，并稳定5分钟；

(6)开启溅射电源，在Fe靶上施加0.2A的电流和360V的直流电压，Co靶上施加0.1A和360V的直流电压，预溅射20分钟，等溅射电流和电压稳定；

(7)控制基底在2转/分钟的转速下匀速旋转，并同时打开基底挡板，薄膜生长20分钟，得到200nm厚的薄膜；

(8)溅射结束，依次关闭挡板、溅射电源和通气阀，并打开闸板阀对腔室继续抽真空，基底温度在650℃稳定1小时后以1度/分钟的速度降至室温，然后关闭抽真空系统，向真空室充入纯度为99.999％的氮气，打开真空室，取出CoFe₂O₄；

(9)在CoFe₂O₄上表面涂银导电胶，构成Ag/CoFe₂O₄/Pt三明治结构。